[发明专利]具有栅极堆叠件的半导体器件的结构和形成方法有效

专利信息
申请号: 201410811892.3 申请日: 2014-12-23
公开(公告)号: CN105789299B 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 张哲诚;施胜棨;陈臆仁 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 栅极 堆叠 半导体器件 结构 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

半导体衬底;

第一栅电极,位于所述半导体衬底上方;

第一栅极介电层,介于所述第一栅电极和所述半导体衬底之间;

第二栅电极,位于所述半导体衬底上方,其中,所述第二栅电极具有上部和介于所述上部与所述半导体衬底之间的下部,并且所述上部宽于所述下部;

第二栅极介电层,介于所述第二栅电极和所述半导体衬底之间并围绕所述第二栅电极,其中,围绕所述上部的第二栅极介电层的部分的外侧壁之间的宽度宽于围绕所述下部的第二栅极介电层的部分的外侧壁之间的宽度;以及

第三栅电极,位于所述半导体衬底上方并且介于所述第一栅电极和所述第二栅电极之间,其中,所述第三栅电极具有上部和介于所述第三栅电极的上部与所述半导体衬底之间的下部,所述第三栅电极的上部宽于所述第三栅电极的下部,所述第三栅电极的底部的宽度大于所述第二栅电极的底部的宽度并且小于所述第一栅电极的底部的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一栅电极具有上部和位于所述第一栅电极的上部与所述半导体衬底之间的下部,并且所述第一栅电极的所述下部宽于所述第二栅电极的所述下部。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,第一角度介于所述第一栅电极的所述下部的侧壁和所述第一栅电极的底部之间,第二角度介于所述第二栅电极的所述下部的侧壁和所述第二栅电极的底部之间,并且所述第二角度大于所述第一角度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,所述第二角度处于90度至130度的范围内。

5.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述第一栅电极的所述上部与所述第一栅电极的所述下部一样宽。

6.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述第一栅电极的所述上部宽于所述第一栅电极的所述下部。

7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第二栅电极的所述下部具有倾斜的侧壁。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一栅电极具有上部和介于所述第一栅电极的上部与所述半导体衬底之间的下部,并且所述第一栅电极的所述下部具有垂直的侧壁。

9.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括第三栅电极,其中,

所述第三栅电极与所述第一栅电极分隔开第一距离,

所述第三栅电极与所述第二栅电极分隔开第二距离,以及

所述第二距离大于所述第一距离。

10.根据权利要求9所述的半导体器件,其中,

所述第三栅电极具有上部和介于所述第三栅电极的上部与所述半导体衬底之间的下部,

所述第三栅电极的所述下部具有第一侧壁和第二侧壁,

所述第一侧壁介于所述第二侧壁和所述第一栅电极之间,

第三角度介于所述第三栅电极的所述第一侧壁和所述第三栅电极的底部之间,

第四角度介于所述第三栅电极的所述第二侧壁和所述第三栅电极的底部之间,以及

第四角度大于所述第三角度。

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