[发明专利]一种硅块的少子寿命检测方法在审
| 申请号： | 201410812419.7 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105784436A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 汪万盾 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N21/84 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 314117 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 少子 寿命 检测 方法 | ||
1.一种硅块的少子寿命检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
将待检测硅块在长度方向上分为底部测试区域以及顶部测试区域；
对所述底部测试区域内距离底面距离小于第一距离的第一区域进行少子 寿命检测；
对顶部测试区域内距离顶面距离小于第二距离的第二区域进行少子寿命 检测；
根据少子寿命检测的结果，切除所述待检测硅块底部少子寿命小于标准 值的区域以及顶部少子寿命小于标准值的区域。
2.根据权利要求1所述的少子寿命检测方法，其特征在于，采用少子测 试仪器对所述待检测硅块进行少子寿命检测。
3.根据权利要求2所述的少子寿命检测方法，其特征在于，所述少子测 试仪器为SemilabWT-2000，SemilabWT-2000PV，或SemilabWT-2000PVN。
4.根据权利要求1所述的少子寿命检测方法，其特征在于，所述待检测 硅块的长度范围为100mm-1000mm，包括端点值。
5.根据权利要求4所述的少子寿命检测方法，其特征在于，所述待检测 硅块的长度为340mm、或500mm、或600mm。
6.根据权利要求1所述的少子寿命检测方法，其特征在于，所述第一距 离的范围为100mm。
7.根据权利要求1所述的少子寿命检测方法，其特征在于，所述第二距 离的范围为100mm。
8.根据权利要求1所述的少子寿命检测方法，其特征在于，所述对所述 底部测试区域内距离底面距离小于第一距离的第一区域进行少子寿命检测包 括：
采用少子测试仪器对所述第一区域进行少子寿命检测，根据所述少子寿 命检测结果，生成所述待检测硅块的第一区域的少子寿命分布图；
根据所述标准值在所述少子寿命分布图中标记所述第一区域的待切割长 度；
根据所述待切割长度在所述待检测硅块的底端划线，确定底端待切割位 置。
9.根据权利要求1所述的少子寿命检测方法，其特征在于，所述对顶部 测试区域内距离顶面距离小于第二距离的第二区域进行少子寿命检测包括：
采用少子测试仪器对所述第二区域进行少子寿命检测，根据所述少子寿 命检测结果，生成所述待检测硅块的第二区域的少子寿命分布图；
根据所述标准值在所述少子寿命分布图中标记所述第二区域的待切割长 度；
根据所述待切割长度在所述待检测硅块的顶端划线，确定顶端待切割位 置。
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