[发明专利]一种硅块的少子寿命检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及硅锭质量检测技术领域，更具体的说，涉及一种硅块的少子 寿命检测方法。

背景技术

目前，铸造多晶硅锭的检测中，硅锭切割后的硅块少子检测是很重要的 环节，少子的寿命高低通常表征了硅块的电学性能，少子的寿命低的硅块切 割成硅片后，制作的太阳能电池的转换效率较低，难以满足电能转换标准。

多晶硅锭是在铸锭炉的坩埚内铸造而成的，随着铸锭炉温度以及压力控 制系统的日益完善，铸锭炉坩埚的容量也越来越大，所以铸造的硅锭体积也 越来越大。硅锭切割后的硅块越来越长，而传统少子检测方法无法对长度超 过设定阈值的硅块进行少子检测。

发明内容

为解决上述问题，本申请提供了一种硅块的少子寿命检测方法，所述少 子寿命检测方法可以对长度超过设定阈值的硅块进行少子检测。

为实现上述目的，本申请提供了一种硅块的少子寿命检测方法，所述少 子寿命检测方法包括：

将待检测硅块在长度方向上分为底部测试区域以及顶部测试区域；

对所述底部测试区域内距离底面距离小于第一距离的第一区域进行少子 寿命检测；

对顶部测试区域内距离顶面距离小于第二距离的第二区域进行少子寿命 检测；

根据少子寿命检测结果，切除所述待检测硅块底部少子寿命小于标准值 的区域以及顶部少子寿命小于标准值的区域。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，采用少子测试仪器对所述待检测 硅块进行少子寿命检测。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述少子测试仪器为Semilab WT-2000，SemilabWT-2000PV，或SemilabWT-2000PVN。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述待检测硅块的长度范围为 100mm-1000mm，包括端点值。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述待检测硅块的长度为340mm、 或500mm、或600mm。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述第一距离的范围为100mm。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述第二距离的范围为100mm。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对所述底部测试区域内距离 底面距离小于第一距离的第一区域进行少子寿命检测包括：

采用少子测试仪器对所述第一区域进行少子寿命检测，根据所述少子寿 命检测结果，生成所述待检测硅块的第一区域的少子寿命分布图；

根据所述标准值在所述少子寿命分布图中标记所述第一区域的待切割长 度；

根据所述待切割长度在所述待检测硅块的底端划线，确定底端待切割位 置。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对顶部测试区域内距离顶面 距离小于第二距离的第二区域进行少子寿命检测包括：

采用少子测试仪器对所述第二区域进行少子寿命检测，根据所述少子寿 命检测结果，生成所述待检测硅块的第二区域的少子寿命分布图；

根据所述标准值在所述少子寿命分布图中标记所述第二区域的待切割长 度；

根据所述待切割长度在所述待检测硅块的顶端划线，确定顶端待切割位 置。

通过上述描述可知，本申请所述的少子寿命检测方法包括：将待检测硅 块在长度方向上分为底部测试区域以及顶部测试区域；对所述底部测试区域 内距离底面距离小于第一距离的第一区域进行少子寿命检测；对顶部测试区 域内距离顶面距离小于第二距离的第二区域进行少子寿命检测；根据少子寿 命检测结果，切除所述待检测硅块底部少子寿命小于标准值的区域以及顶部 少子寿命小于标准值的区域。可见，所述少子寿命检测方法在对待检测硅块 进行少子寿命检测时，将其分为两个测试区域，仅对测试区域内预设的第一 区域以及第二区域进行检测，解决了传统少子检测方法无法对长度超过设定 阈值的硅块进行少子检测的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实 施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面 描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不 付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种硅铸锭的原理示意图；