[发明专利]一种金属成膜掩膜板的清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体元器件制造技术，尤其涉及一种掩膜板清洗方法。

背景技术

在大尺寸OLED阴极金属材料的蒸镀制程中，随着蒸镀的持续，掩膜板上堆积了大量的金属材料。为担心堆积量太大而脱落污染蒸镀腔室，该掩膜板需要定期清洗。由于该掩膜板的清洗周期较其它掩膜板有机物的清洗周期长，目前的金属成膜掩膜板的清洗是运用特殊的方式或者是特殊的设备清洗，一般企业没有配备该设备，只有特殊化学厂家拥有，一般情况下是由外部专门清洗金属材料的厂家清洗。但由于大尺寸的掩膜板的运输比较麻烦，且也需要一定的费用。

发明内容

为了解决上述现有技术的不足，本发明设计一种新的方法来将金属成膜掩膜板运用在常规清洗机中清洗。

本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：所述清洗方法包括如下步骤：

S1：在掩膜板的表面蒸镀一层有机层；

S2：将步骤S1得到具有有机层的掩膜板放入金属成膜腔体进行金属蒸镀；

S3：将步骤S2得到的掩膜板放入有机溶液中清洗。

进一步地，所述步骤S1中通过将掩膜板置入有机物蒸镀腔室内蒸镀形成有机层。

进一步地，所述步骤S3中通过将掩膜板放入装有有机溶液的清洗机中清洗。

进一步地，所述有机层厚度为300?～500 ?。

进一步地，所述步骤S1中有机层为酞菁铜层或N，N'-二苯基-N，N'-(1-萘基)-1，1'-联苯-4，4'-二胺层。

进一步地，所述步骤S3中的有机物溶液为N-甲基吡咯烷酮、环己酮系列药剂中的任一一种。

进一步地，完成步骤S3后还包括对掩膜板进行干燥步骤。

进一步地，所述干燥为加热干燥、通入气体进行干燥、异丙醇干燥、氢氟醚干燥中的任一一种。

本发明的有益效果为：通过此种方法可以简化金属成膜掩膜板的清洗过程，提高清洗效率，同时省去寻找专门厂家进行清洗造成运输不便的问题，节约清洗掩膜板的成本。

附图说明

图1为本发明实施例的原理图。

图2为本发明实施例的原理分解图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。参照本发明实施例图1所示，为解决大尺寸金属成膜掩膜板清洗的问题，提供如下方法：

第一步将掩膜板1放入有机物蒸镀腔室中，所述掩膜板材料为invar36（因瓦合金），但不仅限于此。在蒸镀前将有机物蒸镀腔室抽成高真空，通过一次1~2min的真空蒸镀，在掩膜板1整个表面上蒸镀一层有机材料，形成有机层2。该有机层2要蒸镀均匀，其厚度在蒸镀均匀的基础上优选轻薄，防止有机层2过厚在后期过程中部分脱落，固优选厚度为300?～500 ?，但不仅限于此。所述有机材料可以为实际生产中所需要的任何有机材料，如：CuPc（酞菁铜）或NBP(N，N'-二苯基-N，N'-(1-萘基)-1，1'-联苯-4，4'-二胺)中一种，但不仅限于此。

第二步，将已经蒸镀一层有机层2的掩膜板1送入金属成膜腔室内，进行金属蒸镀，这样金属材料附着在该掩膜板1的有机层2上，形成金属材料堆积3，所述金属堆积3的覆盖范围小于等于有机层2的覆盖范围，金属堆积3中金属可以为镁或银，但不仅限于此。

第三步，在成膜过后，清洗时，直接将将该掩膜板1放在常规有机物的清洗机中清洗；常规有机物清洗液可以为酮类例如NMP(N-甲基吡咯烷酮)或HC(环己酮)系列药剂中任意一种，使用NMP(N-甲基吡咯烷酮)溶剂后还需要使用去离子水进行冲洗，再经过KOH（氢氧化钾）的抛光工艺。目前的有机物清洗机几乎可以清洗市面上存在的各种有机材料，如非特殊有机材料均可以使用清洗机进行清洗。

如图2所示，该掩膜板1上有两层材料，内层为有机层2，外层为金属堆积3，在清洗过程中，该掩膜板1中的有机层2与有机物清洗液进行溶解，故有机层2直接从掩膜板1上剥离，其剥离过程中，自动带走上层金属堆积3，这样金属材料也被清除。此有机物清洗液与掩膜板组成材料不会发生化学反应，保护了掩膜板1的同时洗掉掩膜板1外部的有机层2与金属堆积3。此种清洗方法利用有机物与有机溶剂相溶解的方式可以减少金属成膜掩膜板浸泡在特殊金属清洗溶剂中的时间（成膜的金属是镁银，所以一般采用的是强碱性溶剂），加快掩膜板的清洗时间，提高效率，同时保护掩膜板的使用寿命。