[发明专利]批处理式基板处理装置

说明书

本发明公开了一种批处理式基板处理装置(10)。本发明涉及的批处理式基板处理装置(10)，作为对多个基板(50)进行处理的批处理式基板处理装置(10)，其特征在于，包括：主体(100)，其包括装载或卸载多个基板(50)的多个插槽(s)和提供基板处理空间的腔室(105)；以及门单元(110、120)，配置在主体(100)的正面，用于开闭至少一个插槽(s)。

技术领域

本发明涉及一种批处理式基板处理装置，更详细地说，涉及一种通过配置在主体正面的门单元分别开闭各插槽，从而使腔室内部的热损失最小化，以提高基板处理工序效率的批处理式基板处理装置。

背景技术

基板处理装置用在平板显示器、半导体、太阳能电池等的制造中，可大致分为蒸镀(Vapor Deposition)装置和退火(Annealing)装置。

蒸镀装置是用来形成平板显示器的核心结构即透明导电层、绝缘层、金属层或者硅层的装置，有如低压化学蒸镀(LPCVD,Low Pressure Chemical Vapor Deposition)或者等离子体增强化学蒸镀(PECVD,Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)等的化学气相蒸镀装置，以及溅射(Sputtering)等的物理气相蒸镀装置。

此外，退火装置作为在基板上蒸镀薄膜之后提高所蒸镀的薄膜特性的装置，是对所蒸镀的薄膜进行结晶化或者相变化的热处理装置。

通常，基板处理装置有对一个基板进行处理的单片式(Single Substrate Type)和对多个基板进行处理的批处理式(Batch Type)。虽然单片式基板处理装置具有结构简单的优点，但是存在生产率低的缺点。因此，大量生产中多使用批处理式基板处理装置。

图1是表示现有的批处理式基板处理装置10′结构的立体图。

如图1所示，现有的批处理式基板处理装置10′包括：主体100′，其包括作为基板处理空间的腔室105′；多个基板(未图示)，装载到腔室105′中；门单元110′，配置在主体100′的正面。门单元110′可上下滑动以开闭形成在主体100′正面的出入口101′。

在现有的批处理式基板处理装置10′中一个门单元110′只开闭一个出入口101′，因此打开出入口101′时腔室105′的大部分空间向外部暴露，导致当卸载处理完毕的基板50′时腔室105′内部的热量全都损失到外部。特别是，即使在基板处理过程中只卸载少量基板的情况，也需要滑动门单元110′以打开整个出入口101′，因此为了重新将腔室105′内部降低了的温度提升到工序所需的温度而存在浪费电力的问题。

发明内容

因此，本发明是为了解决上述现有技术的所有问题而提出的，其目的在于提供一种批处理式基板处理装置，通过单独开闭插槽使得腔室的热损失最小化。

此外，本发明的目的在于提供一种批处理式基板处理装置，缩短加热腔室内部所需的时间，从而提高基板处理工序的效率。

为了达到所述目的，本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置，对多个基板进行处理，其特征在于，包括：主体，其包括装载或卸载所述多个基板的多个插槽和作为基板处理空间的腔室；以及门单元，配置在所述主体的正面，用于开闭至少一个所述插槽。

根据具有如上所述结构的本发明，可通过单独开闭插槽使得腔室的热损失最小化。

此外，根据本发明，可缩短加热腔室内部所需的时间，从而提高基板处理工序的效率。

附图说明

图1是表示现有的批处理式基板处理装置结构的立体图。

图2是表示本发明的一实施例涉及的批处理式基板处理装置结构的分解立体图。

图3是表示本发明的一实施例涉及的基板层叠结构的立体图。