[发明专利]对BiSbTe基片进行刻蚀的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410815145.7 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105789041A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 周娜 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bisbte 进行 刻蚀 方法 | ||
1.一种对BiSbTe基片进行刻蚀的刻蚀方法，其特征在于，所 述刻蚀方法包括：
将形成有掩膜图形的BiSbTe基片放入刻蚀腔中；
利用刻蚀气体对形成有掩模图形的BiSbTe基片进行刻蚀，所述 刻蚀气体包括能够与所述BiSbTe基片反应的化学刻蚀气体。
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述化学刻 蚀气体包括氢气和甲烷。
3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气 体还包括物理刻蚀气体，所述物理刻蚀气体为电离后不与BiSbTe基 片反应的气体。
4.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述物理刻 蚀气体为氮气、氦气和氩气中的任意一种或几种的混合。
5.根据权利要求3或4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述物 理刻蚀气体的流量在所述刻蚀气体的总流量中的所占的比例大于所 述化学刻蚀气体中任意一种气体的流量在所述刻蚀气体的总流量中 所占的比例。
6.根据权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，所述物理刻 蚀气体为氩气，所述物理刻蚀气体的流量占所述刻蚀气体总流量的 40％～70％。
7.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述物理刻 蚀气体的流量为30～100sccm。
8.根据权利要求7所述的刻蚀方法，其特征在于，所述物理刻 蚀气体的流量为20～60sccm，所述化学刻蚀气体的流量为5～10sccm。
9.根据权利要求1至4中任意一项所述的刻蚀方法，其特征在 于，在对所述BiSbTe基片进行刻蚀时，上电极功率为2000～2500W， 下电极功率为50～500W。
10.根据权利要求9所述的刻蚀方法，其特征在于，在对所述 BiSbTe基片进行刻蚀时，下电极功率为70～200W。
11.根据权利要求1至4中任意一项所述的刻蚀方法，其特征 在于，所述BiSbTe基片设置在静电卡盘上，在对所述BiSbTe基片 进行刻蚀时，所述静电卡盘的温度为40～80℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
