[发明专利]对BiSbTe基片进行刻蚀的刻蚀方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体加工领域，具体地，涉及一种对BiSbTe基片 进行刻蚀的刻蚀方法。

背景技术

BiSbTe是一种新型的半导体材料，目前通常采用湿法刻蚀对 BiSbTe基材进行刻蚀。但是，当在BiSbTe基材上形成较为精细的图 形时，湿法刻蚀的图形可控性较差。因此，如何提高在BiSbTe基材 上刻蚀精细图形时的精确程度成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种对BiSbTe基片进行刻蚀的刻蚀方 法，利用该刻蚀方法对BiSbTe基片进行刻蚀获得的图形精度较高。

为了实现上述目的，本发明提供一种对BiSbTe基片进行刻蚀的 刻蚀方法，其中，所述刻蚀方法包括：

将形成有掩膜图形的BiSbTe基片放入刻蚀腔中；

利用刻蚀气体对形成有掩模图形的BiSbTe基片进行刻蚀，所述 刻蚀气体包括能够与所述BiSbTe基片反应的化学刻蚀气体。

优选地，所述化学刻蚀气体包括氢气和甲烷。

优选地，所述刻蚀气体还包括物理刻蚀气体，所述物理刻蚀气 体为电离后不与BiSbTe基片反应的气体。

优选地，所述物理刻蚀气体为氮气、氦气和氩气中的任意一种 或几种的混合。

优选地，所述物理刻蚀气体的流量在所述刻蚀气体的总流量中 的所占的比例大于所述化学刻蚀气体中任意一种气体的流量在所述 刻蚀气体的总流量中所占的比例。

优选地，所述物理刻蚀气体为氩气，所述物理刻蚀气体的流量 占所述刻蚀气体总流量的40％～70％。

优选地，所述物理刻蚀气体的流量为30～100sccm。

优选地，所述物理刻蚀气体的流量为20～60sccm，所述化学刻 蚀气体的流量为5～10sccm。

优选地，在对所述BiSbTe基片进行刻蚀时，上电极功率为 2000～2500W，下电极功率为50～500W。

优选地，在对所述BiSbTe基片进行刻蚀时，下电极功率为 70～200W。

优选地，所述BiSbTe基片设置在静电卡盘上，在对所述BiSbTe 基片进行刻蚀时，所述静电卡盘的温度为40～80℃。

本发明所提供的刻蚀方法为干法刻蚀，与湿法刻蚀相比，可以 更精确地在BiSbTe基片上形成所需的图形。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一 部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本 发明的限制。在附图中：

图1是本发明所提供的刻蚀方法的流程图；

图2是等离子体刻蚀设备的基本原理图；

图3是利用本发明所提供的刻蚀方法的优选实施方式对BiSbTe 基片进行刻蚀后得到的图形的扫描电镜图；

图4是图3的局部放大图。

附图标记说明

1：喷嘴2：上部线圈

3：刻蚀腔4：等离子体

5：静电卡盘6：基片

7：射频电源8：分子泵

9：干泵10：冷却器

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理 解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不 用于限制本发明。

如图1所示，本发明提供一种对BiSbTe基片进行刻蚀的刻蚀方 法，其中，所述刻蚀方法包括：

将形成有掩膜图形的BiSbTe基片放入刻蚀腔中；

利用刻蚀气体对形成有掩模图形的BiSbTe基片进行刻蚀，所述 刻蚀气体包括能够与所述BiSbTe基片反应的化学刻蚀气体。

本发明所提供的刻蚀方法是一种在刻蚀腔内进行的干法刻蚀方 法，刻蚀气体进入刻蚀腔内后被电离成等离子体。

在进行刻蚀时，所述化学刻蚀气体被电离后形成的等离子体分 别与BiSbTe基片中的Bi、Sb和Te反应，生成化合物，该生成的化 合物从BiSbTe基片脱落，从而可以在BiSbTe基片上没有掩膜图形 覆盖的部分形成沟槽。

本发明所提供的刻蚀方法为干法刻蚀，与湿法刻蚀相比，可以 更精确地在BiSbTe基片上形成所需的图形。