[发明专利]一种降低失调影响的低噪声带隙基准电路

权利要求书

1.一种降低失调影响的低噪声带隙基准电路，包括电流镜模块、PTAT电压产生模块、带隙基准电压产生模块，所述PTAT电压产生模块包括运算放大器和至少一对三极管，所述电流镜模块用于给PTAT电压产生模块中的三极管提供成比例的电流，PTAT电压产生模块用于产生一个PTAT电压，带隙基准电压产生模块利用PTAT电压产生模块产生的PTAT电压产生带隙基准电压，其特征在于，所述PTAT电压产生模块中的运算放大器的差分输入对管为非对称结构，使得运算放大器两个输入端的电压不相等，从而产生一个额外的ΔV_BE，所述ΔV_BE为运算放大器中的非对称的差分输入对管之间的基极发射极电压差的差值。

2.根据权利要求1所述的降低失调影响的低噪声带隙基准电路，其特征在于，所述运算放大器中的非对称的输入对管为第五NPN型三极管(Q₅)和第六NPN型三极管(Q₆)，所述第五NPN型三极管(Q₅)和第六NPN型三极管(Q₆)的个数比为m：1，即第五NPN型三极管(Q₅)采用m个单位NPN型三极管并联，第六NPN型三极管(Q₆)为1个单位NPN型三极管，所述第五NPN型三极管(Q₅)和第六NPN型三极管(Q₆)的发射极连接在一起，发射极再接电流大小为第五NPN型三极管(Q₅)的集电极电流的2倍的电流源到地，所述第五NPN型三极管(Q₅)的基极为运算放大器(OPA)的反相输入端，所述第六NPN型三极管(Q₆)的基极为运算放大器(OPA)的同相输入端；所述第五NPN型三极管(Q₅)和第六NPN型三极管(Q₆)的集电极的电流相等。

3.根据权利要求1所述的降低失调影响的低噪声带隙基准电路，其特征在于，所述PTAT电压产生模块和带隙基准电压产生模块包括四个PNP型三极管(Q₁、Q₂、Q₃、Q₄)，运算放大器(OPA)，第一电阻(R₁)，第二电阻(R₂)；所述四个PNP型三极管(Q₁、Q₂、Q₃、Q₄)的个数比依次为1:1:n:n；其中，第一PNP型三极管(Q₁)的基极与集电极均接地，发射极接电流镜的第1路输出和第二PNP型三极管(Q₂)的基极；第二PNP型三极管(Q₂)的集电极接地，发射极接电流镜的第2路输出以及运算放大器(OPA)的反相输入端，基极接第一PNP型三极管(Q₁)的发射极；第三PNP型三极管(Q₃)的集电极接地，基极接第一电阻(R₁)的正端，发射极接电流镜的第3路输出以及运算放大器(OPA)的同相输入端；第四PNP型晶体管(Q₄)的基极和集电极均接地，发射极接第一电阻(R₁)的负端；第一电阻(R₁)的正端接第三PNP型三极管(Q₃)的基极以及第二电阻(R₂)的负端；第二电阻(R₂)的负端接第三PNP型三极管(Q₃)的基极和第一电阻(R₁)的正端，正端接电流镜的第四路输出并作为带隙基准电压的输出。

4.根据权利要求3所述的降低失调影响的低噪声带隙基准电路，其特征在于，所述电流镜的第1路输出和第一PNP型三极管(Q₁)的发射极之间还设置有对称电阻(R₃)，所述对称电阻(R₃)的正端接电流镜的第1路输出，负端接第一PNP型三极管(Q₁)的发射极和第二PNP型三极管(Q₂)的基极。