[发明专利]一种降低失调影响的低噪声带隙基准电路

说明书

技术领域

本发明属于集成电路领域，涉及集成电路中的带隙基准电路，具体为一种降低运放失调电压影响的低噪声带隙基准电路。

背景技术

基准电压源是集成电路中应用极为广泛的一类电路，它可为集成电路中的其他模块提供精准的电压参考信号。而“带隙(band gap)”基准已经成为公认的电压基准技术，其基本结构如图1所示，该电路中运算放大器(operational amplifier，OPA)的输入差分对完全对称，且通过运放OPA的“虚短”特性使得V_X＝V_Y。该带隙基准电路的具体原理如下：

三极管的电压电流关系：VBE=VTln(ICIS)---(1)]]>

其中，V_BE为三极管的基极与发射极的电压差，一般在600mV～800mV之间，而其在室温(300°K)下的温度系数大概为-1.5mV/°K(V_BE的大小及其温度系数随工艺不同会有较大变化，这里取教科书中的示意值)；V_T为热电压，表达式为kT/q(k为玻尔兹曼常数，T为开氏温度，q为单位电荷量)，其在室温下的温度系数为+0.087mV/°K；I_C为三极管的集电极电流，I_S为三极管的反向饱和电流。图1中，R₁＝R₂，于是Q₁和Q₂的集电极电流相等，由于Q₁只有一个“单位三极管”，而Q₂为n个“单位三极管”并联，由式(1)可得到：

VBE1=VTln(ICIS),VBE2=VTln(ICnIS)---(2)]]>