[发明专利]一种MCU的校准方法和系统有效
申请号: | 201410818264.8 | 申请日: | 2014-12-24 |
公开(公告)号: | CN105786661B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 王南飞;李宝魁 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F11/22 | 分类号: | G06F11/22 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 苏培华 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mcu 校准 方法 系统 | ||
1.一种MCU的校准方法,其特征在于,所述MCU与非易失性存储器连接,所述MCU包括校准控制单元和待校准模块,所述非易失性存储器中存储有测试校准信息;所述校准控制单元包括:校准选择寄存器、闪存校准寄存器、调节校准寄存器、选择器和加法器;其中,所述校准选择寄存器中存储有加法配置信息,所述加法配置信息用于指示选择加法器通路;所述加法器用于计算所述闪存校准寄存器中的测试校准信息和所述调节校准寄存器中的调节校准信息的总和,得到结果校准信息;所述测试校准信息为存储在所述非易失性存储器中,在所述MCU的出厂前测试时,对所述MCU进行校准操作得到的信息;所述调节校准信息为所述MCU运行过程中,所述待校准模块对应的参数发生变化,需要对发生变化的所述参数进行调节,输入的用于调节所述参数的信息;
所述方法包括:
在所述MCU的出厂后应用时,所述MCU上电复位后,读取所述非易失性存储器中的测试校准信息,并将所述测试校准信息写入所述校准控制单元;
所述MCU运行过程中,接收调节校准信息,将所述调节校准信息写入所述校准控制单元;
利用所述测试校准信息和所述调节校准信息对所述待校准模块进行调节校准操作;
判断在调节校准操作后,所述待校准模块是否满足预设的调节条件;
若不满足预设的调节条件,则返回所述接收调节校准信息,将所述调节校准信息写入所述校准控制单元的步骤;
其中,所述利用所述测试校准信息和所述调节校准信息对所述待校准模块进行调节校准操作的步骤包括:
根据所述加法配置信息控制所述选择器选择从所述加法器中读取所述结果校准信息;
将所述结果校准信息写入所述待校准模块,利用所述结果校准信息对所述待校准模块进行调节校准操作;
在所述MCU的出厂前测试时,所述MCU上电复位后,接收所述测试校准信息,并将所述测试校准信息写入所述校准控制单元;
利用所述测试校准信息对所述待校准模块进行测试校准操作;
判断所述测试校准操作是否通过,所述测试校准操作通过的标准为:所述待校准模块已满足预设的测试条件;
若所述测试校准操作通过,将所述测试校准信息写入所述闪存校准寄存器;
若所述测试校准操作未通过,判断是否需要再次进行所述测试校准操作;
若需要,则再次进行所述测试校准操作;
若不需要,则结束所述测试校准操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述测试校准信息写入所述校准控制单元的步骤包括:
将所述测试校准信息写入所述校准控制单元中的闪存校准寄存器。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述将所述调节校准信息写入所述校准控制单元的步骤包括:
将所述调节校准信息写入所述校准控制单元中的调节校准寄存器。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述将所述测试校准信息写入所述校准控制单元的步骤之后,还包括:
利用所述测试校准信息对所述待校准模块进行上电校准操作。
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