[发明专利]切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置

权利要求书

1.一种切割/芯片接合薄膜，其具备：具有基材和在该基材上形成的粘合剂层的切割薄膜、以及

层叠在所述粘合剂层上的粘接薄膜，

所述粘接薄膜是用于包埋被固定在被粘物上的第一半导体元件并将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定于被粘物的粘接薄膜，

所述粘接薄膜与所述粘合剂层之间的剥离力为0.03N/20mm以上且0.2N/20mm以下，

所述粘接薄膜包含环氧树脂、酚醛树脂以及丙烯酸类树脂，相对于100重量份丙烯酸类树脂成分，环氧树脂与酚醛树脂的混合量为100～1300重量份。

2.根据权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层的厚度为5μm以上且50μm以下。

3.根据权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其中，所述粘接薄膜的厚度为80μm以上且150μm以下。

4.根据权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其中，热固化前的25℃下的储能模量为10MPa以上且10000MPa以下。

5.根据权利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其包含无机填充剂，

该无机填充剂的含量为25～80重量％。

6.一种半导体装置的制造方法，其包括以下的工序：

准备固定有第一半导体元件的被粘物的被粘物准备工序；

将权利要求1～5中任一项所述的切割/芯片接合薄膜的粘接薄膜与半导体晶圆进行贴合的贴合工序；

切割所述半导体晶圆和粘接薄膜，形成第二半导体元件的切割工序；

将所述第二半导体元件与所述粘接薄膜一起拾取的拾取工序；以及

利用与所述第二半导体元件一起拾取的粘接薄膜，包埋被固定于所述被粘物的所述第一半导体元件并将所述第二半导体元件固定于该被粘物的固定工序。

7.一种半导体装置，其是利用权利要求6所述的半导体装置的制造方法得到的。