[发明专利]切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置

说明书

本发明提供切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置，具体来说，提供一种即使具备包埋用粘接薄膜也能够实现期望切割的切割/芯片接合薄膜和使用其的半导体装置的制造方法、以及利用该制造方法得到的半导体装置。本发明是一种切割/芯片接合薄膜，其具备：具有基材和在该基材上形成的粘合剂层的切割薄膜、以及层叠在前述粘合剂层上的粘接薄膜，前述粘接薄膜是用于包埋被固定在被粘物上的第一半导体元件并将与该第一半导体元件不同的第二半导体元件固定于被粘物的粘接薄膜，前述粘接薄膜与前述粘合剂层之间的剥离力为0.03N/20mm以上且0.2N/20mm以下。

技术领域

本发明涉及切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置。

背景技术

一直以来，制造半导体装置时半导体芯片向基板、电极构件上的固定使用了银糊。所述固定处理是通过在半导体芯片或引线框上涂覆糊剂状粘接剂，借助糊剂状粘接剂将半导体芯片搭载于基板，最后使糊剂状粘接剂层固化而进行的。

然而，对于糊剂状粘接剂而言，涂覆量、涂覆形状等会产生较大偏差而难以均匀化，或者涂布需要特殊装置、长时间。因此，提出了在切割工序中粘接保持半导体晶圆且赋予安装工序所需的芯片固定用粘接薄膜的切割/芯片接合薄膜(参照专利文献1)。

这种切割/芯片接合薄膜具有在切割薄膜上层叠有芯片接合薄膜(粘接薄膜)的结构。另外，切割薄膜是在支撑基材上层叠有粘合剂层的结构。该切割/芯片接合薄膜如下来使用。即，在利用粘接薄膜进行保持下对半导体晶圆和粘接薄膜进行切割后，拉伸支撑基材而将半导体芯片与粘接薄膜一起剥离，并将其分别回收。进而，夹着粘接薄膜使半导体芯片粘接固定于BT基板、引线框等被粘物。将半导体芯片多阶段地层叠时，在借助粘接薄膜而固定的半导体芯片上进一步粘接固定带粘接薄膜的半导体芯片。

然而，正在更进一步寻求半导体装置及其封装体的高功能化、薄型化、小型化。作为其一个对策而开发了使半导体元件在其厚度方向上多阶段地层叠来实现半导体元件的高密度集成化的三维安装技术。

作为一般的三维安装方法，采用了在基板等被粘物上固定半导体元件，并在其最下阶的半导体元件上依次层叠半导体元件的步骤。在半导体元件之间、以及半导体元件与被粘物之间，主要利用接合线(以下也称为“线”。)来实现电连接。另外，半导体元件的固定广泛使用了薄膜状的粘接剂。

这样的半导体装置中，出于控制多个半导体元件的各自的动作、控制半导体元件之间的通信等的目的，在最上阶的半导体元件上配置用于控制的半导体元件(以下也称为“控制器”。)(参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-074144号公报

专利文献2：日本特开2007-096071号公报

发明内容

发明要解决的问题

控制器也与下阶的半导体元件同样地利用线来实现其与被粘物的电连接。然而，随着半导体元件的层叠阶段数变多，控制器与被粘物的距离变长，电连接所需的线也变长。其结果，有时半导体封装体的通信速度降低，由外部因素(热、冲击等)导致线产生不良情况而使半导体封装体的品质降低，或者引线接合工序变得复杂而使半导体装置制造的成品率降低。

因而，本申请发明人等开发出将控制器固定于被粘物、且能够包埋该控制器并固定其它半导体元件的包埋用粘接薄膜，并针对它们申请了专利(在本申请的申请时未公开)。通过将这样的粘接薄膜用作切割/芯片接合薄膜的粘接薄膜，能够提高半导体装置的制造效率并实现半导体装置的高品质化。

然而，在推进包埋用粘接薄膜的应用的研究的基础上，有时会产生以下的问题。