[发明专利]薄膜晶体管基板、其制作方法及使用之液晶显示面板有效
| 申请号： | 201410819642.4 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105785684A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 高逸群;林欣桦;李志隆;方国龙;施博理 | 申请（专利权）人： | 业鑫科技顾问股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;G02F1/13;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 使用 液晶显示 面板 | ||
1.一种薄膜晶体管基板的制作方法，其包括如下步骤：
提供一基板；
于该基板上形成薄膜晶体管；
于该薄膜晶体管上形成钝化层及像素电极层，该像素电极层与该薄膜晶体管的漏极电性连接；
将形成有该钝化层及该像素电极层的该薄膜晶体管基板置于一大气压强为2个标准大气压到7个标准大气压的高压环境下以增加该沟道层的氧离子浓度。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，该高压环境的温度范围选取为200度到500度之间。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，该高压环境中氧气的浓度为20%到50%。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，该沟道层远离该栅极绝缘层的一侧的氧离子的浓度大于该沟道层靠近该栅极绝缘层的一侧的氧离子的浓度。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，该高压环境形成于一大气压强为2个标准大气压到7个标准大气压的高压退火腔室内。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制作方法，其特征在于，该钝化层及该绝缘层的材质为硅的氮化物。
7.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，该薄膜晶体管基板采用权利要求1-6项任一项所述的制作方法制得。
8.一种液晶显示面板，其包括薄膜晶体管基板、与该薄膜晶体管基板相对设置的对向基板及夹于该薄膜晶体管基板与该对向基板之间的液晶层，该薄膜晶体管基板采用权利要求1-6项任一项所述的制作方法制作的薄膜晶体管基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于业鑫科技顾问股份有限公司，未经业鑫科技顾问股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410819642.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种摄像机底座
- 下一篇：阵列基板、液晶显示面板及阵列基板的制造方法
