[发明专利]一种半导体芯片的制造方法

权利要求书

1.一种半导体芯片的制造方法，包括以下步骤：

在衬底上依次层叠N型半导体层、有源层、P型半导体层从而制备外延片；

在所述外延片上沉积透明导电层；

对所述透明导电层、所述P型半导体层、所述有源层进行区域蚀刻，从而分别暴露出P型半导体层和N型半导体层；

在所暴露出的P型半导体层上制造P型电极，并且在所暴露出的N型半导体层上制造N型电极；

在经过上述步骤所得到的结构体上制造绝缘层，

其特征在于，在所述制造绝缘层的步骤中使用了紫外线固化胶。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制造绝缘层的步骤包括以下步骤：

涂覆并烘烤紫外线固化胶；

将紫外线掩板放置在紫外线固化胶上方，并使用紫外线照射紫外线固化胶以固化紫外线固化胶；

除去未固化的紫外线固化胶。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所涂覆的紫外线固化胶的厚度约为500～3000nm。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述烘烤的温度约为80～90℃。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述烘烤的时间约为1～3分钟。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，用于照射紫外线固化胶的所述紫外线的波长约为360～370nm。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述紫外线的曝光能量为3800～5500mj。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述紫外线的照射时间约为6～10秒。

9.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，使用乙醇来除去未固化的所述紫外线固化胶。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，将所述紫外线固化胶在所述乙醇中浸泡约1～3分钟。