[发明专利]扇出型封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种封装件，包括：

芯片，包括衬底和位于所述衬底上的接触焊盘；

模塑料，横向包封所述芯片；

第一介电层，位于所述模塑料和所述芯片上面，并且具有暴露所述接触焊盘的第一开口；

第一金属化层，位于所述第一介电层上面，其中，所述第一金属化层填充所述第一开口并且横向延伸在所述模塑料上方；

第二介电层，位于所述第一金属化层和所述第一介电层上面，并且具有位于所述第一开口上方的第二开口；

第二金属化层，位于所述第二介电层上面并且通过所述第二开口电连接至所述第一金属化层，并且横向延伸在所述模塑料上方。

2.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第二金属化层形成在所述第二开口中并且与所述第一金属化层物理接触。

3.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第二金属化层用作所述第二开口的侧壁和底部的衬垫。

4.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第一金属化层包括第一晶种层和在所述第一晶种层上形成的第一导电层。

5.根据权利要求4所述的封装件，其中，所述第一晶种层包括钛，而所述第一导电层包括铜。

6.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第二金属化层包括第二晶种层和在所述第二晶种层上形成的第二导电层。

7.根据权利要求6所述的封装件，其中，所述第二晶种层包括钛，而所述第二导电层包括铜。

8.根据权利要求1所述的封装件，还包括：位于所述第二金属化层上的凸块。

9.一种封装件，包括：

芯片，包括衬底和位于所述衬底上的接触焊盘；

模塑料，横向包封所述芯片；

第一介电层，位于所述模塑料和所述芯片上面，并且具有暴露所述接触焊盘的第一开口；

第一晶种层，位于所述第一介电层上面并且用作所述第一开口的侧壁和底部的衬垫；

第一导电层，位于所述第一晶种层上面并且填充所述第一开口；

第二介电层，位于所述第一导电层上面并且具有直接位于所述第一开口上方的第二开口；

第二晶种层，位于所述第二介电层上面并且用作所述第二开口的侧壁和底部的衬垫；以及

第二导电层，位于所述第二晶种层上面。

10.一种方法，包括：

提供具有接触焊盘的芯片；

形成横向包封所述芯片的模塑料，透过所述模塑料暴露所述接触焊盘；

在所述模塑料和所述芯片上方形成第一介电层；

在所述第一介电层中形成暴露所述接触焊盘的第一开口；

第一导电层形成在所述第一介电层上面并且填充所述第一开口，其中，所述第一开口中的第一导电层具有平坦的表面；

在所述第一导电层和所述第一介电层上方形成第二介电层；

在所述第二介电层中形成位于所述第一开口上方的第二开口，从而露出第一导电层；以及

在所述第二介电层上面形成第二导电层，并且所述第二导电层通过所述第二开口与所述第一导电层物理接触。