[发明专利]扇出型封装件及其形成方法

说明书

技术领域

本发明总体涉及半导体器件，更具体地，涉及封装件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，作为实例，诸如,个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过以下步骤制造：在半导体衬底上方循序地沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，以及使用光刻来图案化各个材料层以在其上形成电路部件和元件。通常在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。通过沿着划线锯切集成电路来分割单独的管芯。然后分别封装单独的管芯，例如，封装成多芯片模块或其他类型的封装件。

通过不断地减小最小特征尺寸，半导体工业持续地改进各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度，这允许更多的部件集成到给定区域。在一些应用中，诸如集成电路管芯的这些较小的电子部件也可能需要比之前的封装件利用较小面积的较小的封装。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种封装件，包括：芯片，包括衬底和位于衬底上的接触焊盘；模塑料，横向包封芯片；第一介电层，位于模塑料和芯片上面，并且具有暴露接触焊盘的第一开口；第一金属化层，位于第一介电层上面，其中，第一金属化层填充第一开口并且横向延伸在模塑料上方；第二介电层，位于第一金属化层和第一介电层上面，并且具有位于第一开口上方的第二开口；第二金属化层，位于第二介电层上面并且通过第二开口电连接至第一金属化层，并且横向延伸在模塑料上方。

优选地，第二金属化层形成在第二开口中并且与第一金属化层物理接触。

优选地，第二金属化层用作第二开口的侧壁和底部的衬垫。

优选地，第一金属化层包括第一晶种层和在第一晶种层上形成的第一导电层。

优选地，第一晶种层包括钛，而第一导电层包括铜。

优选地，第二金属化层包括第二晶种层和在第二晶种层上形成的第二导电层。

优选地，第二晶种层包括钛，而第二导电层包括铜。

优选地，该封装件还包括：位于第二金属化层上的凸块。

优选地，该封装件还包括：位于第二金属化层和第二介电层上面以及位于凸块的一部分周围的保护层。

优选地，芯片包括位于衬底上并且覆盖接触焊盘的一部分的钝化层，并且第一介电层形成在钝化层上面。

根据本发明的另一方面，提供了一种封装件，包括：芯片，包括衬底和位于衬底上的接触焊盘；模塑料，横向包封芯片；第一介电层，位于模塑料和芯片上面，并且具有暴露接触焊盘的第一开口；第一晶种层，位于第一介电层上面并且用作第一开口的侧壁和底部的衬垫；第一导电层，位于第一晶种层上面并且填充第一开口；第二介电层，位于第一导电层上面并且具有直接位于第一开口上方的第二开口；第二晶种层，位于第二介电层上面并且用作第二开口的侧壁和底部的衬垫；以及第二导电层，位于第二晶种层上面。

优选地，第二导电层沿着第二开口的侧壁和底部形成。

优选地，第一晶种层包括钛，而第一导电层包括铜。

优选地，第二晶种层包括钛，而第二导电层包括铜。

优选地，该封装件还包括：位于第二导电层上的凸块。

优选地，该封装件还包括：位于第二导电层和第二介电层上面以及位于凸块的一部分周围的保护层。

根据本发明的又一方面，提供了一种方法，包括：提供具有接触焊盘的芯片；形成横向包封芯片的模塑料，透过模塑料暴露接触焊盘；在模塑料和芯片上方形成第一介电层；在第一介电层中形成暴露接触焊盘的第一开口；第一导电层形成在第一介电层上面并且填充第一开口，其中，第一开口中的第一导电层具有平坦的表面；在第一导电层和第一介电层上方形成第二介电层；在第二介电层中形成位于第一开口上方的第二开口，从而露出第一导电层；以及在第二介电层上面形成第二导电层，并且第二导电层通过第二开口与第一导电层物理接触。

优选地，通过镀速大于1μm/min的镀铜工艺而形成第一导电层。

优选地，在第一开口形成的第一导电层具有宽度(W)和高度(H)，并且W/H的比率小于20。

优选地，在第一开口形成的第一导电层具有宽度(W)和高度(H)，并且W/H的比率大于2。

附图说明

为了更完全地理解本实施例及其优势，现结合附图参考以下描述，其中：

图1至图8是根据实施例的结构在制造工艺期间的各个截面图。

具体实施方式