[发明专利]存储器结构

权利要求书

1.一种存储器宏，包括：

多列存储单元；以及

多个切换电路，

其中，

所述多列存储单元中的一列包括对应于该列中的多个存储单元的多个电源电压节点；

所述多个切换电路中的一个切换电路对应于所述多列存储单元中的一列并且被配置为选择性地将第一电压源的第一电压或第二电压源的第二电压提供给所述多个电源电压节点；和

所述第一电压和所述第二电压相差预定的电压值，并且所述第一电压低于所述第二电压；以及

当选择所述多列存储单元中的一列处在写操作模式下时，所述多列存储单元中剩余列处在相应的伪读操作模式，并且所述第一电压被提供给处在所述写操作模式下的所述多列存储单元中的一列，所述第二电压被提供给所述多列存储单元中的剩余列。

2.根据权利要求1所述的存储器宏，其中，

所述多个切换电路中的一个切换电路包括：

第一P型晶体管，具有第一源极、第一栅极和第一漏极；和

第二P型晶体管，具有第二源极、第二栅极和第二漏极；

所述第一漏极和所述第二漏极连接至所述多个电源电压节点；

所述第一源极与所述第一电压源连接；

所述第二源极与所述第二电压源连接；

所述第一栅极被配置为接收第一控制信号；以及

所述第二栅极被配置为接收第二控制信号，所述第二控制信号不同于所述第一控制信号。

3.根据权利要求2所述的存储器宏，其中，

所述第一控制信号和所述第二控制信号互为逻辑反。

4.根据权利要求1所述的存储器宏，包括：

多根字线，

其中，

所述多根字线中的一根字线对应于所述存储器宏的多行存储单元中的一行；以及

所述多根字线被配置为接收所述第一电压，以作为所述多根字线的高逻辑值的电压。

5.根据权利要求1所述的存储器宏，包括：

第一存储单元，位于第一列中，并且被配置为当所述第一存储单元处于写操作模式时，具有所述第一电压源的所述第一电压；以及

第二存储单元，位于第二列中，并且被配置为当所述第一存储单元处于写操作模式时，具有所述第二电压源的所述第二电压。

6.一种存储器的工作方法，包括：

基于由存储器宏中的选择电路而选择性地选取的多列存储单元，

将第一电压提供给具有处于写操作模式的一列存储单元；

将不同于所述第一电压的第二电压提供给所述多列存储单元中的剩余列，所述第一电压和所述第二电压相差预定的电压值，并且所述第一电压低于所述第二电压；以及

当所述存储单元的所述一列处在所述写操作模式下，使所述多列存储单元中的所述剩余列处在相应的伪读操作模式。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

将所述第一电压提供给具有处于写操作模式的所述存储单元的所述一列包括使第一晶体管导通而使第二晶体管截止；以及

所述第一晶体管的一端和所述第二晶体管的一端与所述一列中的多个存储单元的电源电压节点连接，所述第一晶体管的另一端与具有所述第一电压的第一电压源连接，所述第二晶体管的另一端与具有所述第二电压的第二电压源连接。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，

将不同于所述第一电压的所述第二电压提供给所述多列存储单元中的剩余列包括：对于所述多列存储单元中剩余的每一列，使第三晶体管导通而使第四晶体管截止；以及

所述第三晶体管的一端和所述第四晶体管的一端与所述多列存储单元中剩余的每一列的多个存储单元的电源电压节点连接，所述第三晶体管的另一端与具有所述第二电压的所述第二电压源连接，所述第四晶体管的另一端与具有所述第一电压的所述第一电压源连接。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，基于仿真计算所述第一电压和所述第二电压之间的差值。