[发明专利]存储器结构

说明书

本发明提供了一种存储器结构。存储器宏包括多列以及多个切换电路。多列中的一列具有与该列中的多个存储单元相对应的多个电源电压节点。多个切换电路中的一个切换电路对应于多列中的一列并且被配置为选择性地将第一电压源的第一电压值或第二电压源的第二电压值提供给电源电压节点。第一电压值和第二电压值相差预定的电压值。

技术领域

本发明一般地涉及半导体技术领域，更具体地涉及存储器。

背景技术

在一些方法中，随着比先前的技术节点更为先进的技术节点来制造存储单元，相比于之前节点的工作电压，存储单元的供电电压以降低的电压值进行工作。因此，存储单元的读稳定性受到关注。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种存储器宏，包括：多列；以及多个切换电路，其中，所述多列中的一列包括对应于该列中的多个存储单元的多个电源电压节点；所述多个切换电路中的一个切换电路对应于所述多列中的一列并且被配置为选择性地将第一电压源的第一电压值或第二电压源的第二电压值提供给所述电源电压节点；和所述第一电压值和所述第二电压值相差预定的电压值。

在该存储器宏中，所述切换电路包括：第一P型晶体管，具有第一源极、第一栅极和第一漏极；和第二P型晶体管，具有第二源极、第二栅极和第二漏极；所述第一漏极和所述第二漏极连接至所述电源电压节点；所述第一源极与所述第一电压源连接；所述第二源极与所述第二电压源连接；所述第一栅极被配置为接收第一控制信号；以及所述第二栅极被配置为接收第二控制信号，所述第二控制信号不同于所述第一控制信号。

在该存储器宏中，所述第一控制信号和所述第二控制信号互为逻辑反。

该存储器宏包括驱动电路，所述驱动电路被配置为：向所述存储器宏中的各存储单元提供控制信号；以及接收所述第一电压源。

该存储器宏包括：多根字线，其中，所述多根字线中的一根字线对应于所述存储器宏的多行中的一行；以及所述多根字线被配置为接收所述第一电压值，以作为所述多根字线的高逻辑值的电压值。

在该存储器宏中，所述第一电压值低于所述第二电压值。

该存储器宏包括：第一存储单元，位于第一列中，并且被配置为当所述第一存储单元处于写操作时，具有所述第一电压源的第一电压值；以及第二存储单元，位于第二列中，并且被配置为当所述第一存储单元处于写操作时，具有所述第二电压源的第二电压值。

根据本发明的另一方面，提供了一种方法，包括：基于由存储器宏中的选择电路而选择性地选取的多列，将第一电压值提供给具有处于写操作的存储单元的一列；以及将不同于所述第一电压值的第二电压值提供给所述多列中的剩余列。

在该方法中，所述第一电压值和所述第二电压值相差预定的电压值。

在该方法中，所述第一电压值低于所述第二电压值。

在该方法中，将所述第一电压值提供给具有处于写操作的所述存储单元的所述列包括使第一晶体管导通而使第二晶体管截止；以及所述第一晶体管和所述第二晶体管与所述列中的多个存储单元的电源电压节点连接。

在该方法中，将不同于所述第一电压值的所述第二电压值提供给所述多列中的剩余列包括：对于所述多列中剩余的每一列，使第三晶体管导通而使第四晶体管截止；以及所述第三晶体管和所述第四晶体管与所述多列中剩余的每一列的多个存储单元的电源电压节点连接。

在该方法中，基于仿真计算所述第一电压值和所述第二电压值之间的差值。