[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

多条数据线和多条第一栅极线，所述数据线与所述第一栅极线绝缘交叉限定多个第一像素单元和多个第二像素单元；

多条与所述数据线平行设置的第二栅极线，其中，不同的所述第二栅极线分别与不同的所述第一栅极线电连接；

所述第一像素单元中设置有第一薄膜晶体管，所述第二像素单元中设置有第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管包括栅极、第二极、第一极和有源层，其中所述第二栅极线和所述数据线与所述第一极和第二极所在的金属层同层设置；

所述第一薄膜晶体管的第一极与其栅极和第二极设置在所述第二栅极线的两侧，且所述第二栅极线在所述有源层上的投影与所述第一薄膜晶体管的有源层部分交叠，所述第二薄膜晶体管的栅极、第一极、第二极和有源层设置在所述第二栅极线的同一侧，其中，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的第一极分别与靠近其的数据线电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述第一像素单元依次排列构成第一像素单元行，多个所述第二像素单元依次排列构成第二像素单元行，所述第一像素单元行和第二像素单元行交替设置。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和位于所述显示区一侧的台阶区，所述像素单元设置在所述显示区内，所述台阶区设置有栅极驱动电路和数据驱动电路。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多条第二栅极线的长度不相等。

5.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括基板、缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层和钝化层；

所述缓冲层设置在所述基板上，所述有源层设置在所述缓冲层上，所述栅极绝缘层设置在所述有源层上，所述栅极设置在所述栅极绝缘层上，所述层间绝缘层设置在所述栅极上，所述第一极和第二极设置在所述层间绝缘层上，所述钝化层覆盖在所述第一极和第二极上，其中，所述第一极和第二极分别通过设置在所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层中的第一过孔与所述有源层电连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，在每条所述第一栅极线上的所述层间绝缘层中设置有一个第二过孔，所述第一栅极线通过所述第二过孔与所述第二栅极线电连接。

7.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括基板、栅极绝缘层、刻蚀阻挡层和钝化层；

所述栅极设置在所述基板上，所述栅极绝缘层设置在所述栅极上，所述有源层设置在所述栅极绝缘层上，所述刻蚀阻挡层设置在所述有源层上，所述第一极和第二极设置在所述刻蚀阻挡层上，所述钝化层覆盖在所述第一极和第二极上，其中，所述第一极和第二极分别通过设置在所述刻蚀阻挡层中的第三过孔与所述有源层电连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，在每条所述第一栅极线上的所述刻蚀阻挡层中设置有一个第四过孔，所述第一栅极线通过所述第四过孔与所述第二栅极线电连接。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅极线在有源层上的投影与所述第一薄膜晶体管的有源层的交叠区域为掺杂区域。

10.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅极线和所述数据线交替设置。

11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层为氧化物半导体层或者低温多晶硅层。

12.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-11中任一项所述的阵列基板。