[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示面板在审
申请号: | 201410831424.2 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN104505391A | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 楼均辉;龚华;马俊超;吴勇 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 路凯;崔雪青 |
地址: | 201201 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示面板的应用越来越广泛,且显示效果不断地得到改善。
现有技术中,采用Zig-zag(之字形)结构的阵列基板能够以列反转的方式实现点反转的效果,从而在显示时可以降低功耗。图1a是现有技术的Zig-zag结构的阵列基板结构示意图。如图1a所示,阵列基板包括多条数据线11、多条栅极线12以及多条数据线11和多条栅极线12绝缘交叉限定的多个像素单元13,其中,每个像素单元13包括薄膜晶体管131和与其电连接的像素电极132;且第一行的薄膜晶体管131与其左侧相邻的数据线11电连接,第二行的薄膜晶体管131与其右侧相邻的数据线电连接11,第三行的薄膜晶体管131也与其左侧相邻的数据线11电连接,也就是说,奇数行的薄膜晶体管131与其左侧相邻的数据线11电连接,偶数行的薄膜晶体管131与其右侧相邻的数据线11电连接,上述薄膜晶体管131与数据线11的电连接方式即实现了Zig-zag结构。
在图1a中用“+”号表示数据信号的极性为正,用“-”号表示数据信号的极性为负,其中,数据信号的极性由数据信号的电压与公共电压的电压差决定,当该电压差大于0时,极性为正,反之极性为负。通过图1a中每条数据线11所加的数据信号的极性以及每个像素电极132所得到的数据信号的极性可知,图1a所示Zig-zag结构的阵列基板能够以列反转的方式实现点反转的效果。
目前,设置在显示面板的边框区域中的栅极驱动电路占了边框区域很大的面积。为了进一步缩小显示面板的边框区域,可以将栅极驱动电路设置在显示面板的台阶区域,然而这需要在显示面板的显示区域设置额外的走线将栅极驱动电路产生的扫描信号提供给栅极线。
图1b是现有技术的无边框设计的阵列基板的结构示意图。如图1b所示,阵列基板包括多条数据线21、多条与数据线平行设置的第一栅极线22、多条第二栅极线23以及由多条数据线21和多条第二栅极线23绝缘交叉限定的多个像素单元24,其中,每个像素单元24包括薄膜晶体管241和与其电连接的像素电极242。在图1b中,第一栅极线22与数据线21以及薄膜晶体管241的源极和漏极设置在同一层,且每条第一栅极线22仅与一条第二栅极线23通过过孔25电连接。
在图1b中,所有薄膜晶体管241均与其左侧相邻的数据线21电连接,如果要实现Zig-zag结构,需要奇数行或者偶数行的薄膜晶体管241与其右侧相邻的数据线21电连接,但是在薄膜晶体管241和与其右侧相邻的数据线21之间设置有第一栅极线22,且薄膜晶体管241的源极与第一栅极线22设置在同一层,因此,奇数行或者偶数行的薄膜晶体管241无法与其右侧相邻的数据线21直接进行电连接,从而使无边框设计的阵列基板无法直接实现Zig-zag结构。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种,以解决现有技术中的无边框设计的阵列基板无法直接实现Zig-zag结构的技术问题。
本发明实施例提供一种阵列基板,包括:
多条数据线和多条第一栅极线,所述数据线与所述第一栅极线绝缘交叉限定多个第一像素单元和多个第二像素单元;
多条与所述数据线平行设置的第二栅极线,其中,不同的所述第二栅极线分别与不同的所述第一栅极线电连接;
所述第一像素单元中设置有第一薄膜晶体管,所述第二像素单元中设置有第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管包括栅极、第二极、第一极和有源层,其中所述第二栅极线和所述数据线与所述第一极和第二极所在的金属层同层设置;
所述第一薄膜晶体管的第一极与其栅极和第二极设置在所述第二栅极线的两侧,且所述第二栅极线在所述有源层上的投影与所述第一薄膜晶体管的有源层部分交叠,所述第二薄膜晶体管的栅极、第一极、第二极和有源层设置在所述第二栅极线的同一侧,其中,所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的第一极分别与靠近其的数据线电连接。
本发明实施例还提供一种显示面板,包括上述第一方面所述的阵列基板。
本发明实施例还提供一种阵列基板的制造方法,包括:
形成多条数据线和多条第一栅极线,其中,所述数据线与所述第一栅极线绝缘交叉限定多个第一像素单元和多个第二像素单元;
形成多条与所述数据线平行的第二栅极线,其中,不同的所述第二栅极线分别与不同的所述第一栅极线电连接;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的