[发明专利]一种形成有天线槽的电子产品金属壳体及其制备方法

权利要求书

1.一种形成有天线槽的电子产品金属壳体，其特征在于，所述电子产品金属壳体包括金属层和硬质阳极氧化层，所述硬质阳极氧化层包裹在所述金属层的表面，在厚度方向上天线槽贯穿所述电子产品金属壳体的背面硬质阳极氧化层和金属层，并使得正面硬质阳极氧化层的内侧暴露，且所述天线槽中填充有非导电材料。

2.根据权利要求1所述的电子产品金属壳体，其中，以所述电子产品金属壳体的背面所对应的天线槽的开口为上部开口，所述天线槽的剖面结构为上部开口大下部开口小的梯形结构，且上部开口的宽度为3-15mm，下部开口的宽度为1-3mm。

3.根据权利要求2所述的电子产品金属壳体，其中，上部开口的宽度为3-6mm。

4.根据权利要求2所述的电子产品金属壳体，其中，下部开口的宽度为1-1.6mm。

5.根据权利要求1所述的电子产品金属壳体，其中，所述金属层的厚度为0.5-1.5mm；所述硬质阳极氧化层的厚度为0.02-0.06mm。

6.根据权利要求1所述的电子产品金属壳体，其中，所述金属层为铝合金层。

7.根据权利要求1所述的电子产品金属壳体，其中，所述电子产品金属壳体为手机金属外壳或平板电脑金属外壳。

8.一种形成有天线槽的电子产品金属壳体的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)将金属层依次进行硬质阳极氧化处理和油墨喷涂处理，以分别形成硬质阳极氧化层和油墨层；

(2)在经步骤(1)处理所得产品的背面形成天线槽，使得在厚度方向上所述天线槽贯穿所述产品的背面油墨层、背面硬质阳极氧化层和金属层，并使得正面硬质阳极氧化层的内侧暴露；

(3)去除油墨层，并在天线槽中填充非导电材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，步骤(2)中，形成天线槽的过程包括：在经步骤(1)处理所得产品的背面形成天线槽狭缝，使得至少去除背面油墨层和背面硬质阳极氧化层，然后去除狭缝对应部位的金属层至露出正面硬质阳极氧化层的内侧。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，步骤(2)中，在经步骤(1)处理所得产品的背面通过镭雕形成天线槽狭缝，使得去除背面油墨层、背面硬质阳极氧化层和部分金属层，去除的部分金属层的厚度为金属层总厚度的0-40％。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，去除的部分金属层的厚度为金属层总厚度的20-30％。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，步骤(2)中，所述形成的天线槽狭缝的宽度为0.05-0.1mm。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，步骤(2)中，通过蚀刻去除 狭缝对应部位的金属层，所述蚀刻的条件包括：温度为20-30℃，时间为30-40min，蚀刻液为含有三氯化铁和盐酸的水溶液，以1L蚀刻液计，三氯化铁的含量为800-1000g，盐酸的含量为35-75g。

14.根据权利要求8-13中任意一项所述的方法，其中，步骤(1)中，所述硬质阳极氧化处理的方法包括依次对金属层进行碱蚀处理、出光处理、氧化处理和封孔处理，并在每种处理后分别进行水洗。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述碱蚀处理的条件包括：温度为50-70℃，时间为1-2min，碱蚀液的浓度为30-60g/L，碱蚀液为氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液和氢氧化锂溶液中的一种或多种。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述出光处理的条件包括：温度为20-30℃，时间为1-3min，出光液为硝酸水溶液，且以1L出光液计，硝酸的含量为130-270g。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述氧化处理的条件包括：温度为5-12℃，时间为30-50min，脉冲波型为正向方波脉冲，占空比为50-90％，频率为500-1000Hz，电流密度为2-7A/dm²，氧化液为含有硫酸、草酸/苹果酸的水溶液，以1L氧化液计，硫酸的含量为120-220g，草酸或苹果酸的含量为8-20g。

18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述封孔处理的条件包括：温度为20-30℃，时间为2-3min。