[发明专利]具光致发光波长转换的固态发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，其包括：

光透射衬底；

第一未封装LED芯片阵列，其直接安装在所述光透射衬底的第一面上，其中所述第一未封装LED芯片阵列可操作以产生具有在440nm到480nm的波长范围中的峰值波长的蓝色激发光；及

光致发光波长转换组件，其包括直接施覆到所述第一未封装LED芯片阵列的至少一种光致发光材料的颗粒与光反射材料的颗粒的混合物，其中所述光致发光波长转换组件经配置而使得在操作中，由所述第一未封装LED芯片阵列产生的所述激发光的一部分发射穿过所述光致发光波长转换组件以促成最终可见发射产物。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其进一步包括第二未封装LED芯片阵列，所述第二未封装LED芯片阵列直接安装在所述光透射衬底的第二面上，且其中所述至少一种光致发光材料与所述光反射材料的颗粒的混合物直接施覆到所述第二未封装LED芯片阵列。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述光透射衬底对于可见光具有至少50％的透射系数。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述光透射衬底是导热性的。

5.根据权利要求4所述的发光装置，其中所述光透射衬底的至少一部分选自由以下材料组成的群组：氧化镁、蓝宝石、氧化铝、石英玻璃、氮化铝及金刚石。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述光反射材料具有在选自由以下大小组成的群组的范围内的粒度：0.01μm到10μm、0.01μm到1μm及0.1μm到1μm。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其中光反射材料对所述至少一种光致发光材料的重量百分比装载在选自由以下百分比组成的群组的范围内：0.01％到10％、0.01％到1％、0.1％到1％及0.5％到1％。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述光反射材料选自由以下材料组成的群组：氧化镁、二氧化钛、硫酸钡，及其组合。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述光反射材料的所述颗粒所对应的粒度使得比起所述颗粒散射由至少一个磷光体材料产生的光，其散射相对更多的由所述未封装LED芯片产生的蓝色激发光。

10.根据权利要求1所述的发光装置，其进一步包括邻近于所述光致发光波长转换组件的光漫射层。

11.根据权利要求10所述的发光装置，其中所述光漫射层包括光反射材料的颗粒，所述颗粒所对应的粒度使得比起所述颗粒散射由所述至少一种光致发光材料产生的光，其散射相对更多由所述未封装LED芯片产生的蓝色激发光。

12.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述光反射性材料具有在100nm到150nm范围中的粒度。

13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一未封装LED芯片阵列电连接到所述光透射衬底的第一面。

14.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第二未封装LED芯片阵列电连接到所述光透射衬底的第二面。

15.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光透射衬底包括光透射电路板。

16.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述光透射衬底是平面的且具有细长形状。

17.根据权利要求16所述的发光器件，其中所述第一未封装LED芯片阵列和/或第二未封装LED芯片阵列被配置为线性阵列。