[发明专利]一种吸氚靶片制备方法在审
| 申请号： | 201410835094.4 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104602438A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 杨洪广;宋应民;何长水 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | H05H6/00 | 分类号： | H05H6/00 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 102413 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 吸氚靶片 制备 方法 | ||
1.一种吸氚靶片制备方法，包括以下步骤：
(1)选用钼圆片作为氚靶衬底材料；
(2)去除钼圆片表面油污；
(3)将钼圆片上表面镀制钛膜并通过高温真空热处理，使钛膜转变为Ti-Mo合金膜，所述Ti-Mo合金膜称为靶膜，镀制钛膜的钼圆片称为靶片；
(4)所述靶片吸氚后形成吸氚靶片，所述吸氚靶片高温高真空除气与靶膜吸氘/放氘活化处理；
(5)靶膜饱和吸氚。
2.如权利要求1所述的一种吸氚靶片制备方法，其特征是：在步骤(1)中，所述钼圆片厚度为0.5-1mm。
3.如权利要求1所述的一种吸氚靶片制备方法，其特征是：在步骤(2)中，将所述钼圆片放入丙酮溶液中进行超声清洗，超声清洗的时间不少于30分钟，去除表面油污。
4.如权利要求1所述的一种吸氚靶片制备方法，其特征是：在步骤(3)中，采用高真空磁控溅射镀膜工艺镀制钛膜，在镀膜过程中，通过控制靶衬底温度，使钛膜转变为Ti-Mo合金膜，并使钼圆片与靶膜之间形成Ti-Mo合金扩散层。
5.如权利要求4所述的一种吸氚靶片制备方法，其特征是：所述Ti-Mo合金扩散层厚度为1-1.5μm。
6.如权利要求4所述的一种吸氚靶片制备方法，其特征是：所述Ti-Mo合金膜厚度为2-3μm。
7.如权利要求6所述的一种吸氚靶片制备方法，其特征是：所述Ti-Mo合金膜中钼的含量在10-12at.％之间均匀分布。
8.如权利要求1所述的一种吸氚靶片制备方法，其特征是：在步骤(4)中，吸氚靶片除气温度应不低于500℃，除气真空度应高于5×10-4Pa。
9.如权利要求1所述的一种吸氚靶片制备方法，其特征是：在步骤(4)中，吸氚靶片除气完毕后，应进行吸氘/放氘循环2-3次，去除表面氧化膜。
10.如权利要求1所述的一种吸氚靶片制备方法，其特征是：在步骤(5)中，靶膜吸氚温度为350-400℃，吸氚压力不大于300Pa。
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