[发明专利]一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔板层压基板材料的粘合剂及其制备方法

权利要求书

1.一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其组分按质量份额计如下：

2.如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其特征在于，所述苯乙烯-甲基纳迪克酸酐的重均分子量在2000～50000。

3.如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其特征在于，所述苯乙烯-甲基纳迪克酸酐的重均分子量在2000-15000。

4.如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其特征在于，所述低介电环氧树脂为联苯型环氧树脂、奈环型环氧树脂、聚苯醚型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂中的一种或多种混合。

5.如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其特征在于，所述改性苯并噁嗪树脂为双环戊二烯型苯并恶嗪、聚苯醚型苯并恶嗪、4,4’-二氨基二苯基甲烷型苯并恶嗪中的一种或多种混合。

6.如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其特征在于，所述含磷阻燃剂为一种磷含量15％-20％为磷酸基铵盐与苯氧基磷腈的混合物。

7.如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其特征在于，所述高成球型二氧化硅为一种微细球形二氧化硅，其平均粒径为0.5μm，最大粒径不超过24μm，纯度在99.0％以上。

8.如权利要求1所述的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其特征在于，所述有机溶剂选自酮类溶剂或醚类溶剂。

9.权利要求1至8任一项权利要求所述的一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂的制备方法，其包括如下步骤：

(1)按配方量在搅拌槽内加入有机溶剂，开启搅拌器，转速500-1500转/分，保持持续搅拌并控制槽体温度在20-50℃，加入磷系阻燃剂，添加完毕后持续搅拌10-60分钟，再加入硅烷及高成球型二氧化硅，添加完毕后持续搅拌10-60分钟；

(2)在搅拌槽内按配方量依次加入苯乙烯-甲基纳迪克酸酐、改性苯并噁嗪树脂、改性无卤环氧树脂，加料过程中保持以1000-1500转/分转速搅拌，添加完毕后开启高效剪切及乳化1-6小时，同时进行冷却水循环以保持控制槽体温度在20-50℃；

(3)按配方量称取咪唑类促进剂，用适量有机溶剂完全溶解后，将该溶液加入搅拌槽内，并持续保持1000-1500转/分搅拌4-13小时，即制得粘合剂。