[发明专利]一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔板层压基板材料的粘合剂及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于电子信息技术领域，涉及一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂及其制备方法。

背景技术

随着当下先进电子设备和技术的发展，终端客户对云端运算和无线网路的需求迅猛增加，造成高频通讯产品的需求大大提升。通讯领域各种电子设备需求突飞猛进，计算机、智能手机、平板电脑等消费电子迅速普及，据有关方面调查研究统计：未来几年全球数据中心全球数据中心流量将增加四倍，云计算领域流量增加六倍。信息通信设备领域，近年全球数据交换流量以每年平均210％的速度递增，呈爆炸式增长，从2010年到2014年数据量增加了16倍。手机基站设备及有线通信设备为典型代表的通讯设备大幅度增加。据统计，到2013年手机基站设备台数已达到185万套，有线通信设备(OPT)达到135万套，往后几年还将以年均约110％的速度增长。数据处理设备爆炸式的增长，推动了通讯设备用PCB市场的扩大及其对高速传输、低损耗性能要求的提高。上游材料决定PCB最终产品的性能。生产高速PCB极仰赖于低损耗基材的开发。为满足近年全球信息技术向数字化、网络化飞速发展所带来的超大容量信息传输，超快速、超高密度信息处理的硬性需求，各类不同特色的高速化覆铜板成为业界技术开发的热门。

然而无卤化的浪潮在这类基材的开发中推波助澜，引领了其中最主流的方向，这既是因为电子产品环保无卤化的理念深入人心，为免去世界环保热情的高涨中遭人诟病的后顾之忧；还因为较之高频领域的高额投入与利润回报，无卤化的成本压力不再十分耀眼；更是因为终端电子厂商的强势推动。目前行业内所应用的低介电型材料基本的开发方向多采用聚四氟乙烯树脂、双马来酰亚胺树脂、热固性聚苯醚树脂、氰酸脂树脂、聚酰亚胺等等，但在无卤环保、阻燃性、吸水性、介电性能、加工性、价格等关键点上存在着各种各样难以平衡的问题。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂。本发明提出的适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，可涂覆上胶于玻璃纤维布之上，用于生产覆铜箔板。其性能优越，具有Tg高、吸水率低、介电常数低、介质损耗低、耐热性好、流动性佳、加工性好的特点。

本发明的目的之一在于提供一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂的制备方法。

为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：

一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂，其按组分按质量份额计如下：

在本发明的一个优选实施例中，所述苯乙烯-甲基纳迪克酸酐的重均分子量在2000～50000。优选为2000～15000。

在本发明的一个优选实施例中，所述低介电环氧树脂为联苯型环氧树脂、奈环型环氧树脂、聚苯醚型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂中的一种或多种混合。

在本发明的一个优选实施例中，所述改性苯并噁嗪树脂为双环戊二烯型苯并恶嗪(DCPD-Boz)、聚苯醚型苯并恶嗪(PPO-Boz)、4,4’-二氨基二苯基甲烷型苯并恶嗪(MDA-Boz)中的一种或多种混合。

在本发明的一个优选实施例中，所述含磷阻燃剂为一种磷含量15％～20％为磷酸基铵盐与苯氧基磷腈的混合物。

在本发明的一个优选实施例中，所述高成球型二氧化硅为一种微细球形二氧化硅，其平均粒径为0.5μm，最大粒径不超过24μm，纯度在99.0％以上。

在本发明的一个优选实施例中，所述有机溶剂选自酮类溶剂或醚类溶剂。

一种适用于高Tg无卤低介电型覆铜箔层压基板材料的粘合剂的制备方法，其包括如下步骤：

(1)按配方量在搅拌槽内加入有机溶剂，开启搅拌器，转速500-1500转/分，保持持续搅拌并控制槽体温度在20-50℃，加入磷系阻燃剂，添加完毕后持续搅拌10-60分钟，再加入硅烷及高成球型二氧化硅，添加完毕后持续搅拌10-60分钟；

(2)在搅拌槽内按配方量依次加入苯乙烯-甲基纳迪克酸酐、改性苯并噁嗪树脂、改性无卤环氧树脂，加料过程中保持以1000-1500转/分转速搅拌，添加完毕后开启高效剪切及乳化1-6小时，同时进行冷却水循环以保持控制槽体温度在20-50℃；

(3)按配方量称取咪唑类促进剂，用适量有机溶剂完全溶解后，将该溶液加入搅拌槽内，并持续保持1000-1500转/分搅拌4-13小时，即制得粘合剂。