[发明专利]全包围栅极结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410835991.5 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104465354B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 储佳 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包围 栅极 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种全包围栅极结构的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：
步骤S01，提供形成有SOI结构的硅片，自下而上依次包括硅衬底、二氧化硅层以及硅层，并刻蚀所述硅层形成顶层硅线条；
步骤S02，在具有硅线条的硅片上沉积氧化层；
步骤S03，利用光刻刻蚀所述氧化层，露出具有硅线条的有源区；
步骤S04，利用湿法各向异性刻蚀所述有源区，使所述硅线条悬空，以形成倾斜的矩形形状的悬空硅线条；
步骤S05，在所述悬空的硅线条表面生长栅介质；
步骤S06，在所述有源区淀积多晶硅，并图形化以形成全包围栅极结构，其中，悬空的硅线条表面依次覆盖有栅介质和多晶硅。
2.根据权利要求1所述的全包围栅极结构制造方法，其特征在于：步骤S04包括利用湿法各向异性刻蚀所述有源区，刻蚀出硅线条的<110>晶面，以形成悬空硅线条。
3.根据权利要求2所述的全包围栅极结构制造方法，其特征在于：步骤S04中湿法各向异性刻蚀采用含氧化剂的刻蚀溶液。
4.根据权利要求3所述的全包围栅极结构制造方法，其特征在于：所述刻蚀溶液含有重铬酸和氢氟酸。
5.根据权利要求4所述的全包围栅极结构制造方法，其特征在于：所述重铬酸和氢氟酸的重量比为2：1～10：1。
6.根据权利要求1所述的全包围栅极结构制造方法，其特征在于：步骤S04中得到的悬空硅线条宽度为5-50nm。
7.根据权利要求1所述的全包围栅极结构制造方法，其特征在于：步骤S03中露出有源区的宽度为10-1000nm。
8.根据权利要求1所述的全包围栅极结构制造方法，其特征在于：步骤S02中沉积的氧化层厚度为5-1000nm。
9.根据权利要求1所述的全包围栅极结构制造方法，其特征在于：步骤S05中生长栅介质的方法为热氧化，生长厚度为1-15nm，步骤S06中淀积多晶硅的方法为LPCVD。
10.一种利用权利要求1至9任一项制造方法制得的全包围栅极结构，其特征在于：其包括悬空的硅线条，所述硅线条表面依次覆盖有栅介质和多晶硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
