[发明专利]一种OLED及其制作方法

权利要求书

1.一种OLED的制作方法，其特征在于，包括：

提供一透明基板，所述透明基板包括：器件区以及包围所述器件区的走线区；

在所述器件区形成OLED的以ITO为材料的第一电极；

在所述走线区形成走线层，所述走线层包括：Cu导电层以及覆盖在所述Cu层表面的CuNi合金保护层；

对所述走线层进行刻蚀，形成设定图案的走线，所述走线的第一端与所述第一电极连接；

在所述第一电极表面依次形成有机发光功能层以及OLED的第二电极。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述走线区形成走线层包括：

在所述走线区形成厚度范围为的所述Cu导电层，所述范围包括端点值；

在所述Cu导电层表面形成厚度为的所述CuNi合金保护层，所述范围包括端点值。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述对所述走线层进行刻蚀包括：

在所述CuNi合金保护层表面形成设定图案的掩膜层；

利用刻蚀液对所述走线层进行刻蚀，所述刻蚀液为去离子水、双氧水以及冰乙酸的混合液，其体积比为300:16:9；

剥离所述掩膜层。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述CuNi合金保护层表面形成设定图案的掩膜层包括：

利用显影液在所述CuNi合金保护层表面形成设定图案的掩膜层，所述显影液为氢氧化钠溶液，其浓度为0.5％-0.7％，包括端点值。

5.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述剥离所述掩膜层包括：

利用剥离液对所述掩膜层进行剥离，所述剥离液为氢氧化钠溶液，其浓度为5％-7％，包括端点值。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述ITO的厚度范围为包括端点值。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二电极为反射式电极。

8.一种OLED，其特征在于，包括：

透明基板，包括：器件区以及包围所述器件区的走线区；

设置在所述器件区的OLED结构，包括：位于所述器件区的第一电极、位于所述第一电极表面的有机发光功能层以及位于所述有机发光功能层表面的第二电极，所述第一电极材料为ITO；

设置在所述走线区的走线，所述走线的第一端与所述第一电极连接，所述走线包括：Cu导电层以及覆盖在所述Cu层表面的CuNi合金保护层。

9.如权利要求8所述的OLED，其特征在于，所述Cu导电层的厚度为包括端点值；所述CuNi合金保护层的厚度为包括端点值。