[发明专利]一种OLED及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体发光器件领域，更具体的说，涉及一种OLED及其制作方法。

背景技术

在显示技术中，有机电致发光二极管(OLED)因具有更薄、更轻、耐低温、响应速度快的优势而备受人们的高度关注，不仅如此，OLED显示屏还不受外形限制，可弯曲任意形状，成本低廉，在显示器市场更具有竞争力，而且一直处于上升趋势。其中，被动式有机电致发光二极管(PM-OLED)主要采用行扫描方式工作，制作工艺相对较为简单，在小尺寸、低分辨率的点矩阵显示屏中应用广泛。PM-OLED的电阻主要包括器件的电阻和走线的电阻，由于PM-OLED器件具有二极管特性，即器件的电阻随着外部电压的上升而减小，因此，对于在较高电压下工作的PM-OLED来说，要想降低功耗，走线的电阻就显得尤为重要。如果PM-OLED的驱动电路仅采用氧化铟锡(ITO)做走线，由于ITO的面电阻较大，导致走线的电阻较大，从而增加了OLED器件的功耗。

现有技术中MoAlMo(钼铝钼)的走线结构虽然能够在一定程度上降低功耗，但是走线的电阻率仍然较大，且走线结构复杂。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种OLED及其制作方法，降低了OLED器件的功耗，实现同步刻蚀，不会造成侧蚀，降低工艺难度，简化工艺流程。

为实现上述目的，本发明提供了一种OLED的制作方法，该OLED的制作方法包括：

提供一透明基板，所述透明基板包括：器件区以及包围所述器件区的走线区；

在所述器件区形成OLED的以ITO为材料的第一电极；

在所述走线区形成走线层，所述走线层包括：Cu导电层以及覆盖在所述Cu层表面的CuNi合金保护层；

对所述走线层进行刻蚀，形成设定图案的走线，所述走线的第一端与所述第一电极连接；

在所述第一电极表面依次形成有机发光功能层以及OLED的第二电极。

优选的，在上述OLED的制作方法中，所述在所述走线区形成走线层包括：

在所述走线区形成厚度范围为的所述Cu导电层，所述范围包括端点值；

在所述Cu导电层表面形成厚度为的所述CuNi合金保护层，所述范围包括端点值。

优选的，在上述OLED的制作方法中，所述对所述走线层进行刻蚀包括：

在所述CuNi合金保护层表面形成设定图案的掩膜层；

利用刻蚀液对所述走线层进行刻蚀，所述刻蚀液为去离子水、双氧水以及冰乙酸的混合液，其体积比为300:16:9；

剥离所述掩膜层。

优选的，在上述OLED的制作方法中，在所述CuNi合金保护层表面形成设定图案的掩膜层包括：

利用显影液在所述CuNi合金保护层表面形成设定图案的掩膜层，所述显影液为氢氧化钠溶液，其浓度为0.5％-0.7％，包括端点值。

优选的，在上述OLED的制作方法中，所述剥离所述掩膜层包括：

利用剥离液对所述掩膜层进行剥离，所述剥离液为氢氧化钠溶液，其浓度为5％-7％，包括端点值。

优选的，在上述OLED的制作方法中，所述ITO的厚度范围为包括端点值。

优选的，在上述OLED的制作方法中，所述第二电极为反射式电极。

本发明还提供一种OLED，其特征在于，包括：

透明基板，包括：器件区以及包围所述器件区的走线区；

设置在所述器件区的OLED结构，包括：位于所述器件区的第一电极、位于所述第一电极表面的有机发光功能层以及位于所述有机发光功能层表面的第二电极，所述第一电极材料为ITO；

设置在所述走线区的走线，所述走线的第一端与所述第一电极连接，所述走线包括：Cu导电层以及覆盖在所述Cu层表面的CuNi合金保护层。

优选的，在上述OLED中，所述Cu导电层的厚度为包括端点值；所述CuNi合金保护层的厚度为包括端点值。

本发明提供的OLED的制作方法包括：提供一透明基板，所述透明基板包括：器件区以及包围器件区的走线区；在所述器件区形成OLED的以ITO为材料的第一电极；在所述走线区形成走线层，所述走线层包括：Cu导电层以及覆盖在Cu层表面的CuNi合金保护层；对所述走线层进行刻蚀，形成设定图案的走线，所述走线的第一端与所述第一电极连接；在所述第一电极表面依次形成有机发光功能层以及OLED的第二电极。