[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有底部电极，在所述底部电极的顶部形成有中间切换媒介层；

沉积并蚀刻侧墙材料层，以在所述中间切换媒介层的两侧形成侧墙；

在所述中间切换媒介层的顶部形成顶部电极，所述顶部电极、所述中间切换媒介层和所述底部电极构成阻变式存储器单元，

所述底部电极形成于第二绝缘层中，所述侧墙的外侧形成有第三绝缘层，

形成所述顶部电极的步骤包括：沉积第四绝缘层，覆盖所述中间切换媒介层、所述侧墙和所述第三绝缘层；蚀刻所述第四绝缘层，以形成用于填充所述顶部电极的沟槽；填充所述顶部电极于所述沟槽中，

对所述第四绝缘层的蚀刻为过蚀刻。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底和所述底部电极之间形成有金属互连层，所述金属互连层形成于第一绝缘层中。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过蚀刻的蚀刻剂对所述第三绝缘层与所述侧墙的蚀刻速率比为3-10。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中间切换媒介层包括自下而上层叠的第一材料层、第二材料层、第三材料层和第四材料层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙材料层的材料为氮化硅、含碳的氮化硅或者含氮的碳化硅，所述侧墙的厚度为100埃-500埃。

6.一种采用权利要求1-5之一所述的方法制造的半导体器件。

7.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求6所述的半导体器件。