[发明专利]一种闪存存储单元及制作方法

权利要求书

1.一种闪存存储单元制作方法，其特征在于，包括：

于衬底中通过制备第一浅沟槽隔离以隔离出有源区，所述有源区上依次制备有遂穿氧化层和浮栅结构；

对所述第一浅沟槽隔离进行刻蚀，以暴露出所述浮栅结构；

于所述第一浅沟槽隔离的表面以及所述浮栅结构的侧壁和表面上制备衬垫氧化层；

于所述衬垫氧化层之上制备第二浅沟槽隔离；

对所述第二浅沟槽隔离进行平坦化处理，并刻蚀掉所述浮栅结构表面上的衬垫氧化层，以使所述第二浅沟槽隔离的表面与所述浮栅结构的表面位于同一平面；

对所述第二浅沟槽隔离进行刻蚀；所述第二浅沟槽隔离的刻蚀深度不能超过所述第二浅沟槽隔离的深度，以起到对浮栅结构的绝缘作用；

于所述第二浅沟槽隔离的表面以及所述浮栅结构的表面上制备氧化硅阻挡层；

于所述氧化硅阻挡层之上制备控制栅；

其中，所述制备第一浅沟槽隔离通过高纵深比制程工艺制备，所述制备第二浅沟槽隔离通过高密度等离子体工艺制备。

2.根据权利要求1所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，于衬底中通过制备第一浅沟槽隔离以隔离出有源区，所述有源区上依次制备有遂穿氧化层和浮栅结构，具体包括：

于衬底之上依次生长遂穿氧化层和氮化硅层，所述遂穿氧化层和所述氮化硅层形成硬掩膜层；

以所述硬掩膜层为掩膜，于所述衬底中制备多个浅沟槽，所述氮化硅层形成氮化硅结构；

于所述多个浅沟槽内形成浅沟槽隔离以隔离出有源区，所述浅沟槽隔离的表面与所述氮化硅结构的上表面位于同一平面；

剥离所述氮化硅结构，以形成沟槽；

于所述沟槽内制备浮栅结构。

3.根据权利要求1所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，对所述第二浅沟槽隔离进行刻蚀，具体为：对所述第二浅沟槽隔离进行刻蚀，以使所述第二浅沟槽隔离形成倒梯形浅沟槽隔离。

4.根据权利要求1所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，对所述第一浅沟槽隔离进行刻蚀采用湿法刻蚀或干法刻蚀。

5.根据权利要求1-4任一所述的闪存存储单元制作方法，其特征在于，所述浮栅结构的厚度取值范围为200～800埃。

6.一种通过权利要求1-5任一所述的方法制作的闪存存储单元，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底的上部形成有多个浅沟槽；

遂穿氧化层，生长于所述衬底之上；

浮栅结构，形成于所述遂穿氧化层之上；

第一浅沟槽隔离，形成于所述多个浅沟槽内；

第二浅沟槽隔离，形成于所述第一浅沟槽隔离的表面以及所述浮栅结构的侧壁上；

氧化硅阻挡层，形成于所浮栅结构的侧壁和表面以及所述第二浅沟槽隔离的表面上；

控制栅，形成于所述氧化硅阻挡层之上；

其中，衬垫氧化层形成于所述第一浅沟槽隔离的表面与所述第二浅沟槽隔离的下表面之间。

7.根据权利要求6所述的闪存存储单元，其特征在于，所述第一浅沟槽隔离通过高纵深比制程工艺制备，所述第二浅沟槽隔离通过高密度等离字体工艺制备。