[发明专利]一种闪存存储单元及制作方法

说明书

本发明公开了一种闪存存储单元及制作方法，其中方法包括：于衬底中通过制备第一浅沟槽隔离以隔离出有源区，有源区上依次制备有遂穿氧化层和浮栅结构；对第一浅沟槽隔离进行刻蚀，以暴露出浮栅结构；于第一浅沟槽隔离的表面以及浮栅结构的侧壁上制备第二浅沟槽隔离，第二浅沟槽隔离的表面与浮栅结构的表面位于同一平面；对第二浅沟槽隔离进行刻蚀；于第二浅沟槽隔离的表面以及浮栅结构的表面上制备氧化硅阻挡层；于氧化硅阻挡层上制备控制栅。本发明的有益效果是采用浅沟槽隔离二次填充的方法，在衬底部分通过高纵深比制程工艺在浅沟槽中填充第一浅沟槽隔离，而浮栅周围部分通过高密度等离子体工艺填充第二浅沟槽隔离，提高了浮栅器件的可靠性。

技术领域

本发明涉半导体器件制作领域，尤其涉及一种闪存存储单元及制作方法。

背景技术

快闪存储器(Flash Memory，简称闪存)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的半导体存储器，被广泛的应用到优盘、闪存卡、笔记本电脑、以及数码相机、手机等各类随身移动装置闪存式数码存储产品中。

现有技术中提供了一种闪存存储单元制作方法，首先，在衬底1之上依次形成氧化层和氮化硅层，将所述氧化层和氮化硅层作为硬掩膜层；在形成有硬膜层的衬底1上刻蚀平行排列的浅沟槽2，并形成碗状氮化硅结构；然后，对所述浅沟槽2采用高纵深比制程(HighAspect Ratio Process，HARP)工艺进行氧化物填充以及平坦化处理以形成浅沟槽隔离3，去除氧化硅层和氮化硅结构，形成遂穿氧化层4，以及在去除氮化硅结构后的沟槽内填充多晶硅结构形成碗状浮栅5；最后，在浅沟槽隔离3和浮栅5表面形成氧化硅层6，以及在氧化硅层6之上形成控制栅7。由上述方法制作的闪存存储单元如图1所示。

上述闪存存储单元制作方法存在以下不足：由高纵深比制程工艺制备的浅沟槽隔离3的绝缘性差，保留在浮栅中的电子很容易从浅沟槽隔离中漏掉，造成浮栅器件的电荷保持能力失效，降低了浮栅器件的可靠性。

发明内容

本发明是为了解决现有技术中的上述不足而完成的，本发明的目的在于提出一种闪存存储单元及制作方法，该结构和方法提高了浮栅保留电子的能力，以及提高了浮栅器件的可靠。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一方面，本发明实施例提供一种闪存存储单元制作方法，包括：

于衬底中通过制备第一浅沟槽隔离以隔离出有源区，所述有源区上依次制备有遂穿氧化层和浮栅结构；

对所述第一浅沟槽隔离进行刻蚀，以暴露出所述浮栅结构；

于所述第一浅沟槽隔离的表面以及所述浮栅结构的侧壁上制备第二浅沟槽隔离，所述第二浅沟槽隔离的表面与所述浮栅结构的表面位于同一平面；

对所述第二浅沟槽隔离进行刻蚀；

于所述第二浅沟槽隔离的表面以及所述浮栅结构的表面上制备氧化硅阻挡层；

于所述氧化硅阻挡层之上制备控制栅。

进一步的，于衬底中通过制备第一浅沟槽隔离以隔离出有源区，所述有源区上依次制备有遂穿氧化层和浮栅结构，具体包括：

于衬底之上依次生长遂穿氧化层和氮化硅层，所述遂穿氧化层和所述氮化硅层形成硬掩膜层；

以所述硬掩膜层为掩膜，于所述衬底中制备多个浅沟槽，所述氮化硅层形成氮化硅结构；

于所述多个浅沟槽内形成浅沟槽隔离以隔离出有源区，所述浅沟槽隔离的表面与所述氮化硅结构的上表面位于同一平面；

剥离所述氮化硅结构，以形成沟槽；

于所述沟槽内制备浮栅结构。