[发明专利]具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410838171.1 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104538450A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 王进泽;杨香;颜伟;刘胜北;赵继聪;何志;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 特征 通电 sic vdmosfet 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种VDMOSFET结构，包括N+衬底，在所述N+衬底上形成有N-漂移区，在该N-漂移区的上方形成有P型基极区和JFET区，所述JFET区由所述P型基极区环绕；
所述P型基极区的内部形成有P+区和N+区；
所述JFET区上方形成有栅介质层；
所述N+衬底的一端作为漏极，所述栅介质层的一端作为栅极，所述P+区和N+区的一端作为源极；
在所述栅介质层与所述P型基极区之间，围绕所述JFET区形成有N-导电沟道层。
2.如权利要求1所述的VDMOSFET结构，其特征在于，所述N-导电沟道层的厚度为20nm。
3.如权利要求1所述的VDMOSFET结构，其特征在于，所述N-导电沟道层的掺杂浓度为1×1015cm-3。
4.如权利要求1所述的VDMOSFET结构，其特征在于，所述在JFET区与N-漂移区之间形成有N型掺杂薄层，作为电流扩散层。
5.如权利要求4所述的VDMOSFET结构，其特征在于，所述N型掺杂薄层的厚度与所述N-漂移区的厚度相同。
6.如权利要求1-5中任一项所述的VDMOSFET结构，其特征在于，所述N+衬底、N-漂移区、P型基极区、JFET区、P+区和N+区均为SiC材料。
7.一种制造VDMOSFET结构的方法，包括如下步骤：
在N+衬底上形成N-漂移区；
在该N-漂移区的上方形成P型基极区和JFET区，所述JFET区由所述P型基极区环绕；
在所述P型基极区的内部形成有P+区和N+区；
在所述JFET区上方形成栅介质层；
将所述N+衬底的一端连接漏极电极，将所述栅介质层的一端连接栅极电极，将所述P+区和N+区的一端连接源极电极；
其特征在于，所述方法还包括：
在所述栅介质层与所述P型基极区之间，围绕所述JFET区形成N-导电沟道层。
8.如权利要求7所述的制造VDMOSFET结构的方法，其特征在于，所述N-导电沟道层的厚度为20nm。
9.如权利要求7所述的制造VDMOSFET结构的方法，其特征在于，所述N-导电沟道层的掺杂浓度为1×1015cm-3。
10.如权利要求7所述的制造VDMOSFET结构的方法，其特征在于，还包括在所述在JFET区与N-漂移区之间形成有N型掺杂薄层，作为电流扩散层。
11.如权利要求10所述的制造VDMOSFET结构的方法，其特征在于，所述N型掺杂薄层的厚度与所述N-漂移区的厚度相同。
12.如权利要求7-11中任一项所述的制造VDMOSFET结构的方法，其特征在于，所述N+衬底、N-漂移区、P型基极区、JFET区、P+区和N+区均为SiC材料。
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