[发明专利]引脚线的制作方法

权利要求书

1.一种引脚线的制作方法，其特征在于：包括步骤：

1)在硅片上，形成阻挡层，并在阻挡层上形成金属铝膜；

2)刻蚀金属铝膜，形成图形；

3)在硅片表面上形成钝化层；

4)刻蚀钝化层，并进行过刻，即直至裸露出金属铝引脚线即止；

5)对裸露的金属铝膜表面进行氧化处理；

6)湿法清洗成型。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1)中，硅片包括：不带图形的硅片或带图形的硅片；

阻挡层的材质包括：由Ti与TiN构成的复合材料；

阻挡层的形成方法包括：物理溅射成膜的方法；

阻挡层的厚度为10～1000埃。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述物理溅射成膜的方法中的条件为：溅射温度10～500℃，压力1～10torr。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1)中，金属铝膜的材质包括：铝铜膜；其中，Al的质量分数为99～99.5％，Cu的质量分数为0.5～1％；

金属铝膜的形成方法包括：物理溅射成膜的方法；

金属铝膜的厚度为10～20000埃。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述物理溅射成膜的方法中的条件为：溅射温度10～500℃，压力1～10torr。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2)中，刻蚀的方法包括：干法刻蚀。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述所述步骤3)中，钝化层的材质包括：氮化硅；

形成钝化层的方法包括：化学气相沉积法；

形成钝化层的温度为300～400℃；

钝化层的厚度为5nm～20nm。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤4)中，钝化层的刻蚀的方法包括：干法刻蚀；

过刻中，过刻蚀金属铝膜的厚度为100～500埃。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤5)中，氧化处理的方法包括：采用氧离子轰击的方法；

其中，该氧离子轰击的方法中的条件如下：

离子化功率500～1000W，气体采用氧气，流量为100～300cc，轰击时间2～20s。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤6)中，湿法清洗中的药液包括：氢氟酸与盐酸的混合液。