[发明专利]引脚线的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路领域，特别是涉及一种引脚线的新制作方法。

背景技术

金属引脚线工艺制作是半导体制造工艺中不可或缺的后道工艺，由于是铝(Al)工艺，在成型过程中，受到酸等化学药剂的干扰，导致引脚线位置出现不同程度的侵蚀。如图1所示，引脚线位置小黑点严重，但通过光学显微镜(OM)和扫描电镜(SEM)发现，黑点位置为金属腐蚀形成的凹坑(如图2-3所示)。

因而，现有的工艺容易导致引脚线位置的凹坑出现，其出现的根本原因就是酸洗残留后的药剂腐蚀导致，由于凹坑的出现很容易导致裸露位置的电性接触不良，从而导致器件测试失效。

鉴于此，急需研发一种能避免湿法刻蚀导致的化学残留而引起的金属腐蚀现象的金属引脚线工艺，以提高产品质量。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种引脚线的制作方法。本发明通过引脚线位置刻蚀以后，将引脚线金属氧化，从而能防止在湿法刻蚀导致化学残留引起的金属腐蚀现象，并能避免器件测试失效，以提高器件质量。

为解决上述技术问题，本发明的引脚线的制作方法，包括步骤：

1)在硅片上，形成阻挡层，并在阻挡层上形成金属铝膜；

2)刻蚀金属铝膜，形成图形；

3)在硅片表面上形成钝化层；

4)刻蚀钝化层，并进行过刻，直至裸露出金属铝膜(即直至裸露出金属铝引脚线即止)；

5)对裸露的金属铝膜表面进行氧化处理；

6)湿法清洗成型。

所述步骤1)中，硅片包括：不带图形的硅片或带图形的硅片；阻挡层的材质包括：由Ti与TiN构成的复合材料；阻挡层的形成方法包括：物理溅射成膜的方法；其中，该物理溅射成膜的方法中的优选条件为：溅射温度10～500℃，压力1～10torr；阻挡层的厚度范围可为10～1000埃。

步骤1)中，金属铝膜的材质包括：铝铜膜；其中，Al的质量分数为99～99.5％，Cu的质量分数为0.5～1％；金属铝膜的形成方法包括：物理溅射成膜的方法；其中，该物理溅射成膜的方法中的优选条件为：溅射温度10～500℃，压力1～10torr。金属铝膜的厚度可为10～20000埃。

所述步骤2)中，刻蚀的方法包括：干法刻蚀。

所述步骤3)中，钝化层的材质包括：氮化硅(SiN)；形成钝化层的方法包括：化学气相沉积(CVD)法；形成钝化层的温度可为300～400℃；钝化层的厚度可为5nm～20nm。

所述步骤4)中，钝化层的刻蚀的方法包括：干法刻蚀；过刻中，过刻蚀金属铝膜的厚度可为100～500埃。

所述步骤5)中，氧化处理的方法包括：采用氧离子轰击的方法；其中，该氧离子轰击的方法中的条件如下：

离子化功率500～1000W，气体采用氧气，流量为100～300cc，轰击时间2～20s。

所述步骤6)中，湿法清洗中的药液包括：常规的氢氟酸与盐酸的混合液。

本发明在干法刻蚀加过刻蚀后，铝裸露出来，将裸露出来的Pad(金属铝引脚线)经过干法氧化，将表面的铝氧化，然后再通过湿法工艺成型。由于湿法工艺过程中会有酸性药液的存在，如果没有铝氧化膜的存在，会进一步对铝表面腐蚀，因而，本发明能解决现有工艺中容易出现的凹坑现象，避免裸露位置的电性接触不良，从而提高器件质量。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是现有工艺中的引脚线位置图；

图2是图1中的引脚线的光学显微镜(OM)图，其中，放大倍数为500倍；

图3是图1中的引脚线的扫描电镜(SEM)图；

图4是本发明的待形成引脚线的硅片；

图5是形成阻挡层和金属铝膜后的示意图；

图6是刻蚀出图形的示意图；

图7是形成钝化层后的示意图；

图8是经钝化层刻蚀、过刻、氧化处理以及湿法清洗后的最终图形(示意图)。

图中附图标记说明如下：

1为硅片，2为阻挡层，3为金属铝膜，4为钝化层。

具体实施方式

本发明的引脚线的制作方法，包括步骤：

1)在如图4所示的硅片1(即硅衬底)上，以物理溅射成膜的方法(溅射温度10～500℃，压力1～10torr)形成厚度可为10～1000埃的阻挡层2，并在阻挡层2上，以物理溅射成膜的方法(溅射温度10～500℃，压力1～10torr)，形成厚度可为10～20000埃的金属铝膜3(如图5所示)；