[发明专利]一种键合线埋入扇入型封装件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及压焊、电镀、植球的工艺改进，具体是一种一种键合线埋入扇入型封装件及其制备方法。

背景技术

集成电路是信息产业和高新技术的核心，是经济发展的基础，集成电路封装是集成电路技术的主要组成部分。

对于目前芯片管脚节距大于PCB给与封装的面积，造成管脚无法对接。传统QFN、BGA封装想要实现扇入必须用RDL布线完成，但RDL成本昂贵，而且是原有封装变厚，此发明可以有效舍去RDL层，使得封装成本更低，厚度更薄。相比于MIS封装的扇入功能，此发明有效的缩短了键合线的长度，降低电阻、电感等参数，有效的提升了电性能。

发明内容

对于上述现有技术存在的问题，本发明提供了一种键合线埋入扇入型封装件及其制备方法，其基于现有工艺基础，是改变传统制造方式的新型结构工艺，不但可以满足超薄的趋势，也可以降低电性能参数，同时大大减少了键合线的有效长度。

一种键合线埋入扇入型封装件，主要由键合线、芯片、塑封体、金属焊盘和焊球组成，所述芯片由塑封体包围，塑封体内有键合线，键合线一端连接芯片，另一端延伸至塑封体表面，并与塑封体表面的金属焊盘连接，金属焊盘上有焊球。

键合线可以是金、银、铜、镀钯铜、合金线等。

金属焊盘可以是钛、铜、镍、金等中的一种。

金属焊盘上有焊料层。

焊料层可以是锡、锡铅、锡银、锡铜、锡银铜中的一种。

一种键合线埋入扇入型封装件的制备方法，其按照以下步骤进行：

步骤A：准备金属载体。

金属载体的材料可以是铜、铜合金、铁、铁合金、镍、镍合金等金属材料，优先选择铜或者铜合金材料。金属载体3可以为现有的封装用引线框架。对金属载体进行清洗和预处理，例如用等离子水去油污、灰尘等，以达到清洁的目的。

步骤B：上芯，芯片与金属载体连接，压焊，键合线连接芯片上表面的一端和另一端。

步骤C：塑封，塑封体包围芯片和键合线。

步骤D：去除金属载体。

步骤E：采用磨削工艺对塑封体减薄，在塑封体表面上露出键合线。

步骤F：在露出的键合线上采用溅射、蒸镀、化学镀或者电镀等方式制作金属焊盘。

步骤G：在金属焊盘上采用丝网印刷和电镀等方式，并经回流焊形成焊球，形成键合线埋入扇入型封装件。

附图说明

图1金属载体图；

图2上芯和压焊剖面图；

图3塑封后产品剖面图；

图4蚀刻掉金属载体的塑封体产品剖面图；

图5减薄塑封体产品示意图；

图6制作金属焊盘产品剖面图；

图7植球后产品剖面图。

图中1代表键合线，2代表芯片，3代表金属载体，4代表塑封体，5代表金属焊盘，6代表焊球。 

具体实施方式

下面根据附图说明来对本发明做进一步描述。

如图7所示，一种键合线埋入扇入型封装件，主要由键合线1、芯片2、塑封体4、金属焊盘5和焊球6组成，所述芯片2由塑封体4包围，塑封体4内有键合线1，键合线1一端连接芯片2，另一端延伸至塑封体4表面，并与塑封体4表面的金属焊盘5连接，金属焊盘5上有焊球6。

键合线1可以是金、银、铜、镀钯铜、合金线等。

金属焊盘5可以是钛、铜、镍、金等中的一种。

金属焊盘5上有焊料层。 

焊料层可以是锡、锡铅、锡银、锡铜、锡银铜中的一种。

一种键合线埋入扇入型封装件的制备方法，其按照以下步骤进行：

步骤A：准备金属载体3，如图1所示。

金属载体3的材料可以是铜、铜合金、铁、铁合金、镍、镍合金等金属材料，优先选择铜或者铜合金材料。金属载体3可以为现有的封装用引线框架。对金属载体3进行清洗和预处理，例如用等离子水去油污、灰尘等，以达到清洁的目的。

步骤B：上芯，芯片2与金属载体3连接，压焊，键合线1连接芯片2上表面的一端和另一端，如图2所示。

步骤C：塑封，塑封体4包围芯片2和键合线1，如图3所示。

步骤D：去除金属载体3，如图4所示。

步骤E：采用磨削工艺对塑封体4减薄，在塑封体4表面上露出键合线1，如图5所示。

步骤F：在露出的键合线1上采用溅射、蒸镀、化学镀或者电镀等方式制作金属焊盘5，如图6所示。

步骤G：在金属焊盘5上采用丝网印刷和电镀等方式，并经回流焊形成焊球6，形成键合线埋入扇入型封装件，如图7所示。