[发明专利]SOI结构的制作方法

权利要求书

1.一种SOI结构的制作方法，其特征在于，包括:

提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有掩埋氧化层和顶部半导体层；

对所述半导体衬底进行至少两次离子注入以在半导体衬底中形成未掺杂多晶硅层，每一次离子注入之后进行退火工艺，每一次离子注入工艺在半导体衬底中形成间隔设置的带状或网格状的多晶硅层，所述离子注入的离子为惰性气体的离子或者与所述半导体衬底的材质相同的物质产生的离子。

2.如权利要求1所述的SOI结构的制作方法，其特征在于，所述至少两次离子注入具体为：对所述半导体衬底进行第一次离子注入和第二次离子注入，所述第一次离子注入在半导体衬底中形成网格状的或平行的带状多晶硅层；所述第二次离子注入在半导体衬底中形成网格状的或的平行的带状多晶硅层，所述第二次离子注入形成的网格状的或平行的带状多晶硅层与所述第一次离子注入形成的网格状的或带状多晶硅层交替设置且互补，所述第一次离子注入和第二次离子注入之后均进行退火步骤。

3.如权利要求2所述的SOI结构的制作方法，其特征在于，所述第一次离子注入和第二次离子注入离子相同。

4.如权利要求2所述的SOI结构的制作方法，其特征在于，所述第一次离子注入和第二次离子注入离子为硅离子或氩离子。

5.如权利要求1所述的SOI结构的制作方法，其特征在于，所述半导体衬底的材质为硅，所述离子注入的离子为硅离子或氩离子。

6.如权利要求1所述的SOI结构的制作方法，其特征在于，所述离子注入的能量范围为100-1000KeV,离子注入形成的多晶硅层的厚度为100-1000埃。

7.如权利要求1所述的SOI结构的制作方法，其特征在于，所述退火工艺为快速热退火工艺。

8.如权利要求7所述的SOI结构的制作方法，其特征在于，所述快速热退火工艺在氮气环境中进行，所述快速热退火工艺的温度范围为800-1050摄氏度，所述快速热退火工艺的时间范围为3-120秒。

9.如权利要求1所述的SOI结构的制作方法，其特征在于，所述掩埋氧化层的材质为氧化硅，所述掩埋氧化层的厚度范围为100-9000埃。

10.如权利要求1所述的SOI结构的制作方法，其特征在于，所述顶部半导体的材质为硅，所述顶部半导体的厚度范围为100-9000埃。