[发明专利]一种或非门闪存存储器

权利要求书

1.一种或非门闪存存储器，其特征在于，包括：

基底，所述基底在第一方向上开有深隔离槽，在第二方向上开有浅隔离槽，所述深隔离槽的深度大于所述浅隔离槽的深度；

氧化层，所述氧化层位于所述深隔离槽内，将相邻的两个所述浅隔离槽分为一组，每相邻两组浅隔离槽之间的氧化层的高度高于每组浅隔离槽之间的氧化层的高度，且所述每组浅隔离槽之间的氧化层的高度高于所述浅隔离槽内的氧化层的高度；

沟道区，所述沟道区位于所述浅隔离槽内的基底上表面内；

隧穿氧化层，所述隧穿氧化层位于所述沟道区之上；

浮栅层，所述浮栅层位于所述隧穿氧化层之上，所述浮栅层的高度高于所述浅隔离槽内的氧化层的高度，且所述浮栅层的高度低于所述每组浅隔离槽之间的氧化层的高度；

层间介电质层，所述层间介电质层位于所述浮栅层和所述浅隔离槽内的氧化层之上以及所述浮栅层的侧壁；

控制栅层，所述控制栅层位于所述层间介电质层之上，所述控制栅层的高度低于所述每相邻两组浅隔离槽之间的氧化层的高度，且所述控制栅层的高度高于所述每组浅隔离槽之间的氧化层的高度；

薄膜层，所述薄膜层位于所述控制栅层和所述氧化层的侧壁；

合金层，所述合金层位于所述控制栅层之上；

氮化硅层，所述氮化硅层位于所述合金层之上，所述氮化硅层上表面与所述每相邻两组浅隔离槽之间的氧化层上表面平齐；

源极，所述源极位于所述每组浅隔离槽之间的基底上表面内；

漏极，所述漏极位于所述每相邻两组浅隔离槽之间的基底上表面内；

第一金属层，所述第一金属层覆盖所述源极和所述漏极；

第二金属层，所述第二金属层位于所述漏极之上的第一金属层之上；

隔离层，所述隔离层覆盖所述第一金属层、所述氧化层、所述氮化硅层和所述薄膜层，且所述隔离层上表面与所述第二金属层上表面平齐。

2.根据权利要求1所述的或非门闪存存储器，其特征在于，所述深隔离槽的侧面与底面的夹角为钝角，所述浅隔离槽的侧面与底面的夹角为直角。

3.根据权利要求1-2任一所述的或非门闪存存储器，其特征在于，所述基底为注入P型离子的硅衬底。

4.根据权利要求1-2任一所述的或非门闪存存储器，其特征在于，所述第二氧化层、所述隧穿氧化层、所述层间介电质层、所述薄膜层和所述隔离层的材料为氧化硅。

5.根据权利要求1-2任一所述的或非门闪存存储器，其特征在于，所述浮栅层和所述控制栅层的材料为多晶硅。

6.根据权利要求1-2任一所述的或非门闪存存储器，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材料为钨。

7.根据权利要求1-2任一所述的或非门闪存存储器，其特征在于，所述沟道区是通过在基底上表面注入P型离子制备而成的，所述源极和所述漏极是通过在基底上表面注入N型离子制备而成的。