[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

刻蚀工艺为半导体制造领域中常用工艺之一。刻蚀工艺中，常采用光刻胶作为掩模。但是随着半导体器件尺寸的逐渐减小，在曝光时容易引起光的散射，从而使形成的光刻胶图形与原设计相比存在偏差。因此，半导体刻蚀中更多的是采用硬掩模，以光刻胶为掩模刻蚀硬掩模，再以硬掩模为掩模刻蚀形成器件。器件形成后，再去除硬掩模。

参考图1至图2，示出了现有技术中一种半导体器件形成方法的示意图。此处，以形成嵌入式闪存为例进行说明。

如图1所示，提供衬底10，所述衬底10包括存储区a和外围区b。在所述衬底10内形成有多个隔离结构11，位于所述存储区a和外围区b交界处的隔离结构把所述衬底1分为存储区衬底10a和外围区衬底10b。所述存储区衬底10a上依次形成有存储区浮栅层12a和存储区控制栅层13a。在所述存储区控制栅层13a上形成有存储区掩膜层14a。在所述存储区a内还形成有互连结构15，所述互连结构贯穿所述存储区掩膜层14a、存储区控制栅层13a以及存储区浮栅层12a。所述外围区衬底10b上依次形成有外围区浮栅层12b和外围区掩膜层14b。

如图2所示，去除所述外围区掩模层14b和外围区浮栅层12b，露出所述外围区衬底10b和外围区内的隔离结构11的顶部。

然而，采用现有技术形成的半导体器件，在去除所述外围区掩模层14b的同时，存储区的掩模层14a也容易被去除，从而在外围电路制造过程中，存储区内器件受到损伤。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，去除外围区膜层的同时保持存储区不受影响，从而在外围区电路制造过程中，保护存储区器件。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件形成方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括存储区和外围区，所述存储区用于形成存储单元，所述外围区用于形成外围电路；

在存储区的衬底上形成存储区掩模层；

在存储区的衬底上形成围绕所述存储区掩模层的保护环；

在外围区的衬底上依次形成外围区浮栅层和外围区掩模层；

在所述存储区掩模层、保护环以及外围区掩模层上形成保护层，位于存储区的保护层为存储区保护层，位于外围区的保护层为外围区保护层；

依次去除所述外围区保护层、所述外围区掩模层以及外围区浮栅层，露出外围区的衬底。

可选的，所述存储区掩模层和所述外围区掩模层的材料相同。

可选的，所述保护层材料为氧化硅。

可选的，所述保护层厚度在到范围内。

可选的，形成所述保护层的步骤包括：采用化学气相沉积、原子层沉积或炉管的方式形成所述保护层。

可选的，所述衬底中还形成有隔离结构，位于所述存储区和所述外围区交界处的隔离结构将所述衬底分隔为存储区衬底和外围区衬底；所述去除所述外围区保护层、所述外围区掩模层以及外围区浮栅层的步骤包括：去除所述外围区保护层和部分厚度的外围区掩模层；去除剩余的外围区掩模层，露出所述外围区浮栅层和所述隔离结构的顶部；去除所述外围区浮栅层，露出所述外围区衬底。

可选的，采用干法刻蚀的方法去除所述外围区保护层和部分厚度的外围区掩模层。

可选的，采用湿法刻蚀去除剩余的外围区掩模层。

可选的，所述采用湿法刻蚀去除剩余的外围区掩模层的步骤包括：采用热磷酸刻蚀去除剩余的外围区掩模层。

可选的，所述去除所述外围区浮栅层的步骤包括：采用各向同性干法刻蚀去除所述外围区浮栅层，露出所述外围区衬底。