[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201410855038.7 申请日: 2014-12-31
公开(公告)号: CN105321575B 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 朴嘉蓝 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C17/16 分类号: G11C17/16
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;王莹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,其包括:

第一锁存块,其在初始化模式下被初始化;和

第二锁存块,其在启动模式期间,当所述第一锁存块响应于启动模式信号和第一内存库选择信号而锁存第一信号时,响应于所述启动模式信号和所述第一内存库选择信号被初始化。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二锁存块在所述启动模式期间被初始化之后锁存第二信号。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其进一步包括第三锁存块,当所述第二锁存块在所述启动模式期间锁存所述第二信号时,所述第三锁存块被初始化,

其中所述第三锁存块在所述启动模式期间被初始化之后锁存第三信号。

4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述第一至第三信号包括熔丝信号。

5.一种半导体器件,其包括:

第一和第二存储区域;

第一锁存块,其对应于所述第一存储区域形成,并且在初始化模式期间响应于初始化信号被初始化;和

第二锁存块,其对应于所述第二存储区域形成,并且在启动模式期间,当所述第一锁存块响应于启动模式信号和第一区域选择信号而锁存第一熔丝信号时,响应于所述启动模式信号和用于选择所述第一存储区域的所述第一区域选择信号被初始化。

6.根据权利要求5所述的半导体器件,其进一步包括熔丝块,所述熔丝块适于响应于所述第一区域选择信号将所述第一熔丝信号传送至所述第一锁存块,并且响应于用于选择所述第二存储区域的第二区域选择信号将第二熔丝信号传送至所述第二锁存块。

7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中所述第一和第二区域选择信号被顺序地启用。

8.根据权利要求5所述的半导体器件,其进一步包括:

第三至第n存储区域;和

第三至第n锁存块,所述第三至第n锁存块分别对应于所述第三至第n存储区域形成,并且所述第三至第n锁存块在所述启动模式期间响应于所述启动模式信号和用于选择第二至第(n-1)存储区域的第二至第(n-1)区域选择信号被初始化。

9.根据权利要求8所述的半导体器件,其进一步包括熔丝块,所述熔丝块适于针对第一至第n存储区域的每一个在所述启动模式期间响应于所述第一至第(n-1)区域选择信号和用于选择第n存储区域的第n区域选择信号顺序地将第一至第n熔丝信号传送至所述第一至第n锁存块。

10.一种用于驱动半导体器件的方法,包括:

初始化第一锁存块;

当所述第一锁存块响应于启动模式信号和第一内存库选择信号而执行启动操作时,响应于所述启动模式信号和所述第一内存库选择信号来初始化第二锁存块;以及

执行所述第二锁存块的所述启动操作。

11.根据权利要求10所述的方法,

其中所述第一锁存块通过锁存第一熔丝信号执行所述启动操作,并且

其中执行所述第二锁存块的所述启动操作在所述第二锁存块中锁存第二熔丝信号。

12.根据权利要求10所述的方法,其进一步包括:在所述第一和第二锁存块执行所述启动操作之后顺序地执行第三至第n锁存块的所述启动操作,

其中当所述第二至第(n-1)锁存块顺序地执行所述启动操作时所述第三至第n锁存块被顺序地初始化。

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