[发明专利]半导体器件的模拟方法及模拟装置

权利要求书

1.一种半导体器件的模拟方法，所述半导体器件包括存储器件和逻辑器件，

其特征在于，所述模拟方法包括：

获得半导体器件的栅极尺寸，所述栅极尺寸包括栅极长度和栅极宽度；

以所述栅极长度和栅极宽度分别为坐标轴建立坐标系，并将所述坐标系分为与所述逻辑器件相对应的逻辑区和与所述存储器件相对应的存储区；

根据逻辑器件电学特性与栅极尺寸的关系对所述逻辑区进行划分，形成逻辑区方块，并提取每个所述逻辑区方块四个顶点的单模型，根据单模型获得每个逻辑区方块的子模型；

根据存储器件电学特性与栅极尺寸的关系对所述存储区进行划分，形成存储区方块，并提取每个所述存储区方块四个顶点的单模型，根据单模型获得每个存储区方块的子模型；

根据所有逻辑区和所有存储区的子模型，形成方块模型；

在所述方块模型中提取工艺角参数；

在所述方块模型中逻辑区与存储区之间设置隔离沟，并根据隔离沟调整存储区的边界，形成器件模型；

基于所述器件模型和所述工艺角参数对所述半导体器件进行模拟，输出半导体器件性能信息。

2.如权利要求1所述的模拟方法，其特征在于，所述调整存储区边界形成隔离沟的步骤包括：基于逻辑区的边界位置坐标与隔离沟宽度，获取所述存储区边界坐标。

3.如权利要求1所述的模拟方法，其特征在于，所述隔离沟的宽度小于模拟的最小精度。

4.如权利要求1所述的模拟方法，其特征在于，所述逻辑区和所述存储区外边界固定，所述逻辑区和所述存储区内部方块的边界不固定。

5.如权利要求1所述的模拟方法，其特征在于，所述根据逻辑器件电学特性与栅极尺寸的关系对所述逻辑区进行划分的步骤中，所述逻辑器件电学特性包括所述逻辑器件的阈值电压和饱和电流；

根据存储器件电学特性与栅极尺寸的关系对所述存储区进行划分的步骤中，所述存储器件电学特性包括所述存储器件的阈值电压和饱和电流。

6.如权利要求1所述的模拟方法，其特征在于，所述提取每个所述逻辑区方块四个顶点的单模型的步骤包括：通过拟合所述逻辑器件的测试曲线提取所述逻辑区方块四个顶点的单模型；

所述提取每个所述存储区方块四个顶点的单模型的步骤包括：通过拟合所述存储器件的测试曲线提取所述存储区方块四个顶点的单模型。

7.如权利要求6所述的模拟方法，其特征在于，所述逻辑器件的测试曲线包括：所述逻辑器件的电容-电压曲线、电流-电压曲线、亚阈值特性曲线

所述存储器件的测试曲线包括：所述存储器件的电容-电压曲线、电流-电压曲线、亚阈值特性曲线。

8.一种半导体器件的模拟装置，所述半导体器件包括存储器件和逻辑器件，其特征在于，所述模拟装置包括：

获取单元，用于获取所述半导体器件的栅极尺寸，所述栅极尺寸包括栅极长度和栅极宽度；

坐标单元，与所述获取单元相连，用于根据所述栅极尺寸建立坐标系，并将所述坐标系分为与所述逻辑器件相对应的逻辑区和与所述存储器件相对应的存储区；

建模单元，与所述坐标单元相连，包括：第一建模单元，用于划分逻辑区方块并提取所述逻辑区方块的子模型；和第二建模单元，用于划分存储区方块并提取所述存储区方块的子模型；

整合单元，分别与所述第一建模单元和第二建模单元相连，根据所述逻辑区方块和存储区方块的子模型，形成方块模型；

提取单元，与所述整合单元相连，用于在所述方块模型中提取工艺角参数；

调整单元，与所述整合单元相连，用于在所述方块模型中逻辑区与存储区之间设置隔离沟，并根据隔离沟调整存储区的边界，形成器件模型；

模拟单元，与所述调整单元和所述提取单元相连，根据所述器件模型和所述工艺角参数对所述半导体器件进行模拟，输出半导体器件性能信息。

9.如权利要求8所述的模拟装置，其特征在于，所述调整单元根据逻辑区边界坐标与隔离沟宽度，设置所述存储区边界坐标，设置隔离沟。

10.如权利要求8所述的模拟装置，其特征在于，所述隔离沟的宽度小于模拟的最小精度。

11.如权利要求8所述的模拟装置，其特征在于，所述坐标单元划分的所述逻辑区和所述存储区的外边界固定，所述建模单元建立的所述逻辑区方块和所述存储区方块的内部边界不固定。