[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成漏极和源极；

在包括漏极和源极的图形上形成平坦化层，并使所述平坦化层具有用于容置触控金属层的凹槽；

在所述平坦化层上形成触控金属层，并使所述触控金属层的上表面与所述平坦化层的上表面平齐；

在包括所述平坦化层和所述触控金属层的图形上依次形成具有过孔的第一绝缘层、公共电极层、第二绝缘层和像素电极层，并使触控金属层通过所述过孔与公共电极层电连接，且源极通过公共电极层与像素电极层电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成平坦化层，并使所述平坦化层具有凹槽的方法包括：

在包括所述漏极和所述源极的图形上涂覆光阻材料；

采用具有透光区、半透光区和遮光区的半曝光光罩对所述光阻材料进行曝光显影，通过所述透光区去除所述源极所在区域对应的光阻材料，通过所述半透光区部分保留预设区域对应的光阻材料，通过所述遮光区完全保留其它区域的光阻材料，以形成所述平坦化层和对应所述预设区域的凹槽。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设区域为所述漏极所在的区域。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光阻材料为氟化聚合物、聚对二甲苯、甲基环戊烯醇酮或者聚丙烯酸酯中的一种。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，形成触控金属层的方法包括：

在所述平坦化层上形成金属层，并使所述凹槽所在区域对应的金属层的上表面与所述平坦化层的上表面平齐；

对所述金属层进行曝光显影，完全保留所述凹槽所在区域对应的金属层，去除其它区域对应的金属层，以形成所述触控金属层。

6.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

形成在所述衬底基板上的漏极和源极；

形成在包括漏极和源极的图形上的平坦化层，所述平坦化层具有用于容置触控金属层的凹槽；

形成在所述平坦化层上的触控金属层，所述触控金属层的上表面与所述平坦化层的上表面平齐；以及

依次形成在包括所述平坦化层和所述触控金属层的图形上的第一绝缘层、公共电极层、第二绝缘层和像素电极层；其中触控金属层通过设置在所述第一绝缘层上的过孔与公共电极层电连接，源极通过公共电极层与像素电极层电连接。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述凹槽位于所述漏极的正上方。

8.根据权利要求6或7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述平坦化层由氟化聚合物、聚对二甲苯、甲基环戊烯醇酮或者聚丙烯酸酯中的一种制成。

9.一种显示装置，其特征在于：包括薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：

衬底基板；

形成在所述衬底基板上的漏极和源极；

形成在包括漏极和源极的图形上的平坦化层，所述平坦化层具有用于容置触控金属层的凹槽；

形成在所述平坦化层上的触控金属层，所述触控金属层的上表面与所述平坦化层的上表面平齐；以及

依次形成在包括所述平坦化层和所述触控金属层的图形上的第一绝缘层、公共电极层、第二绝缘层和像素电极层；其中触控金属层通过设置在所述第一绝缘层上的过孔与公共电极层电连接，源极通过公共电极层与像素电极层电连接。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述凹槽位于所述漏极的正上方。