[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，还涉及一种具有该薄膜晶体管阵列基板的显示装置。

背景技术

一般的TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管-液晶显示器)的制造要经过以下三个步骤来完成：TFT阵列基板制造步骤，CF(彩色滤光板)基板制造步骤，以及液晶成盒(Cell)制造步骤。其中，在进行液晶成盒时，主要通过分别在TFT侧基板(即TFT阵列基板)上和CF侧基板上涂覆PI(聚酰亚胺)来进行液晶分子配向，使液晶分子在自然状态下呈特定角度，并在此后经液晶滴注，封装成盒，及Module(模组)工艺后，形成可在外加信号下显示图案的液晶显示面板。

在现有的LTPS-TFT(Low Temperature Poly-silicon-Thin Film Transistor，低温多晶硅-薄膜晶体管)阵列基板制作过程中，由于工序复杂，下层膜经多次蚀刻处理后，膜厚度(简称膜厚)的差异很大，因此使得在涂覆PI时，PI膜与下层基板的黏附性变差。为克服上述缺陷(即，膜厚差异造成的表面凸凹不平的缺陷)，现有技术中在LTPS-TFT制造中使用了平坦化层(PLN)。

然而，随着LTPS-Touch(低温多晶硅-触控)技术的发展，在In Cell型嵌入式触控(Touch in Cell)技术中，由于要使用触控金属层作为触控感应电极(Touch Sensor)，而触控金属层较厚，因此即使在使用平坦化层的情况下，最终还会导致涂覆PI前阵列基板表面凹凸程度的增加，使得涂覆后的PI膜容易脱落，造成显示不良。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：现有技术中In Cell型嵌入式触控显示面板的薄膜晶体管阵列基板的制造过程中，由于触控金属层的存在，会导致在涂覆PI前阵列基板表面凹凸程度的增大，从而使得涂覆后的PI膜容易脱落，造成显示不良。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，还提供了一种具有该薄膜晶体管阵列基板的显示装置。

根据本发明的一个方面，提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其包括：

在衬底基板上形成漏极和源极；

在包括漏极和源极的图形上形成平坦化层，并使所述平坦化层具有用于容置触控金属层的凹槽；

在所述平坦化层上形成触控金属层，并使所述触控金属层的上表面与所述平坦化层的上表面平齐；

在包括所述平坦化层和所述触控金属层的图形上依次形成具有过孔的第一绝缘层、公共电极层、第二绝缘层和像素电极层，并使触控金属层通过所述过孔与公共电极层电连接，且源极通过公共电极层与像素电极层电连接。

优选的是，形成平坦化层，并使所述平坦化层具有凹槽的方法包括：

在包括所述漏极和所述源极的图形上涂覆光阻材料；

采用具有透光区、半透光区和遮光区的半曝光光罩对所述光阻材料进行曝光显影，通过所述透光区去除所述源极所在区域对应的光阻材料，通过所述半透光区部分保留预设区域对应的光阻材料，通过所述遮光区完全保留其它区域的光阻材料，以形成所述平坦化层和对应所述预设区域的凹槽。

优选的是，所述预设区域为所述漏极所在的区域。

优选的是，所述光阻材料为氟化聚合物、聚对二甲苯、甲基环戊烯醇酮或者聚丙烯酸酯中的一种。

优选的是，形成触控金属层的方法包括：

在所述平坦化层上形成金属层，并使所述凹槽所在区域对应的金属层的上表面与所述平坦化层的上表面平齐；

对所述金属层进行曝光显影，完全保留所述凹槽所在区域对应的金属层，去除其它区域对应的金属层，以形成所述触控金属层。

根据本发明的另一个方面，提供了一种薄膜晶体管阵列基板，其包括：

衬底基板；

形成在所述衬底基板上的漏极和源极；

形成在包括漏极和源极的图形上的平坦化层，所述平坦化层具有用于容置触控金属层的凹槽；

形成在所述平坦化层上的触控金属层，所述触控金属层的上表面与所述平坦化层的上表面平齐；以及

依次形成在包括所述平坦化层和所述触控金属层的图形上的第一绝缘层、公共电极层、第二绝缘层和像素电极层；其中触控金属层通过设置在所述第一绝缘层上的过孔与公共电极层电连接，源极通过公共电极层与像素电极层电连接。

优选的是，所述凹槽位于所述漏极的正上方。