[发明专利]二硫化钼纳米绣球花结构半导体材料及其制备方法

权利要求书

1.二硫化钼纳米绣球花结构半导体材料，其特征在于，其包括层级纳米球；其中，所述纳米球是由2-4nm厚度的二硫化钼纳米鳞片团聚而成。

2.根据权利要求1所述二硫化钼纳米绣球花结构半导体材料，其特征在于，所述二硫化钼纳米鳞片边沿呈现不规则柔和的弧状，并指向一个共同的中心，围成一个绣球花球状，呈纳米绣球花结构。

3.根据权利要求1所述二硫化钼纳米绣球花结构半导体材料，其特征在于，所述层级纳米球的直径为100-350nm。

4.根据权利要求1所述二硫化钼纳米绣球花结构半导体材料，其特征在于，所述层级纳米球无规则地团聚在一起。

5.一种二硫化钼纳米绣球花结构半导体材料的制备方法，其特征在于，利用一步水热法合成，将钼酸钠、硫代乙酰胺和草酸分别溶解在去离子水中，混合搅拌后，加入反应釜中，密封条件下反应；反应完成后，将反应物置于硅片上，在60℃下烘烤、干燥，在氩气保护下进行快速退火，得到如权利要求1所述的二硫化钼纳米绣球花结构半导体材料。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述钼酸钠、硫代乙酰胺和草酸的用量质量比为1：2：7。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述钼酸钠、硫代乙酰胺和草酸的加入顺序为：先将钼酸钠溶液缓慢倒入硫代乙酰胺溶液中，同时磁力搅拌；然后，将草酸溶液缓慢倒入前述混合溶液中，磁力搅拌后，再加入去离子水，磁力搅拌。

8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述反应釜中的反应条件为200℃下反应21-24小时。

9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述退火的条件为600℃，50min。