[发明专利]低垂直高度的封装组件有效
申请号: | 201410857916.9 | 申请日: | 2014-11-23 |
公开(公告)号: | CN104733412B | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | Q·张;S·R·S·博亚帕蒂 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60;H01L23/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张凌苗;姜甜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垂直 高度 封装 组件 | ||
1.一种封装组件,包括:
管芯,其具有第一侧和与第一侧相对的第二侧,其中管芯包括在第一侧上的一个或多个迹线;
一个或多个焊盘,其中的一个或多个焊盘的第一焊盘具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧,所述第一焊盘的第一侧与所述管芯的该第一侧和所述一个或多个迹线之一耦合;
金属外层,所述金属外层直接耦合到所述第一焊盘的所述第二侧并位于所述第一焊盘的所述第二侧上方,其中所述外层部分地覆盖所述第一焊盘的所述第二侧的边缘部分,并且所述第一焊盘的所述第二侧的中间部分没有被所述外层覆盖;
与所述第一焊盘的第二侧直接耦合的焊球;以及
阻挡层,其与第一焊盘的第一侧直接耦合并且被布置在第一焊盘的第一侧和管芯的第一侧之间。
2.如权利要求1所述的封装组件,其中所述阻挡层包括第一侧和第二侧,并且其中该阻挡层的第一侧与第一焊盘的第一侧直接耦合,并且其中该阻挡层的该第二侧与管芯的第一侧直接耦合。
3.如权利要求1所述的封装组件,其中所述阻挡层包括钛、氮化钛、钽、氮化钽或钨酸钛。
4.如权利要求1所述的封装组件,其中一个或多个焊盘的第一焊盘和第二焊盘限定在第一焊盘和第二焊盘之间的空腔,该空腔被布置成直接相邻于管芯的第一侧。
5.如权利要求1所述的封装组件,其中第一焊盘的第一侧具有未化学粗糙化的表面。
6.如权利要求4所述的封装组件,进一步包括直接耦合到在空腔中的管芯的第一侧以及第一焊盘的第二侧的至少部分的阻焊层。
7.如权利要求1所述的封装组件,其中第一焊盘的第二侧具有完全覆盖第一焊盘的第二侧的粗糙化的表面。
8.如权利要求1所述的封装组件,其中所述一个或多个焊盘包括铜。
9.如权利要求1所述的封装组件,进一步包括至少与管芯的第二侧耦合并且围绕管芯的介电层,使得介电层与管芯的第一侧水平,并且其中,该阻挡层与该介电层直接耦合。
10.一种封装方法,包括:
在管芯的第一侧上直接沉积阻挡层;
在阻挡层上直接形成第一焊盘和第二焊盘;
化学粗糙化该第一焊盘和该第二焊盘;以及
移除该阻挡层的一部分,使得该阻挡层的一部分保持被布置在第一焊盘和管芯的第一侧之间以及在第二焊盘和管芯的第一侧之间;以及
在所述第一焊盘的与所述阻挡层相对的第二侧上形成直接耦合到所述第一焊盘并且位于所述第一焊盘的上方的金属外层,其中所述外层部分地覆盖所述第一焊盘的所述第二侧的边缘部分,并且所述第一焊盘的所述第二侧的中间部分没有被所述外层覆盖;以及
直接将焊球与所述第一焊盘的所述第二侧耦合。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述阻挡层被喷溅沉积。
12.如权利要求10所述的方法,其中所述阻挡层包括钛。
13.如权利要求10所述的方法,其中所述第一焊盘包括铜。
14.如权利要求10所述的方法,其中化学粗糙化包括以过氧化物基的溶液化学蚀刻该第一焊盘和该第二焊盘。
15.如权利要求10所述的方法,进一步包括:在沉积阻挡层之后,在沉积该第一焊盘和该第二焊盘之前,在阻挡层上沉积种子材料。
16.根据权利要求10所述的方法,进一步包括:
在管芯的第一侧以及化学粗糙化的第一焊盘和第二焊盘上直接沉积阻焊层;
在阻焊层中形成空腔,使得该化学粗糙化的第一焊盘暴露;以及
将传导元件直接附接到在空腔中的化学粗糙化的第一焊盘。
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