[发明专利]具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410858153.X 申请日: 2014-12-31
公开(公告)号: CN105895655B 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 金宰一;柳昊辰 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 吕俊刚,刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 孔径 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管OLED显示器,该OLED显示器包括:

基板,该基板中限定有发射区域和非发射区域;

OLED,该OLED被布置在所述发射区域中;

薄膜晶体管,该薄膜晶体管被布置在所述非发射区域中;

第一绝缘层,该第一绝缘层与所述非发射区域中的所述薄膜晶体管交叠;

第一存储电容电极,该第一存储电容电极被布置在所述第一绝缘层上在所述发射区域中;

第二绝缘层,该第二绝缘层被布置为覆盖所述第一存储电容电极和除所述薄膜晶体管的一部分之外的所述薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的所述部分通过该第二绝缘层被暴露;

有机保护层,该有机保护层被布置在所述第二绝缘层上并且在除所述薄膜晶体管的所述部分通过所述第二绝缘层被暴露的地方之外与所述薄膜晶体管交叠;以及

所述OLED的阳电极,该阳电极被布置在所述第二绝缘层上,该阳电极电连接至所述薄膜晶体管,

其中,所述阳电极和所述第一存储电容电极彼此交叠,并且所述第二绝缘层在所述发射区域中被插置在所述阳电极与所述第一存储电容电极之间,以形成存储电容器,并且

其中,在所述发射区域中去除全部所述有机保护层或者所述有机保护层的一部分,使得在所述发射区域中的所述第二绝缘层或者所述第二绝缘层在所述发射区域中的所述部分通过所去除的有机保护层被暴露。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管OLED显示器,其中,所述第一存储电容电极由包括铟锡氧化物ITO、铟锌氧化物IZO和铟锡锌氧化物ITZO中的至少一种的透明导电材料形成。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管OLED显示器,其中,所述阳电极由包括ITO、IZO和ITZO中的至少一种的透明导电材料形成。

4.一种有机发光二极管OLED显示器,该OLED显示器包括:

基板,该基板包括发射区域和非发射区域;

薄膜晶体管,该薄膜晶体管形成在所述非发射区域中;

OLED,该OLED形成在所述发射区域中;

存储电容器,该存储电容器连接在所述薄膜晶体管的栅电极与源电极和漏电极中的一个之间,该存储电容器形成在所述发射区域的至少一部分中,以在由所述OLED发射光的方向上与所述OLED的一部分交叠,其中,所述存储电容器包括第一存储电极、所述OLED的阳极和形成在所述第一存储电极与所述阳极之间的绝缘层,并且所述阳极充当所述存储电容器的第二电极;以及

有机保护层,该有机保护层被布置在所述绝缘层上并且在除所述薄膜晶体管的通过所述绝缘层被暴露的部分的地方之外与所述薄膜晶体管交叠,

其中,在所述发射区域中去除全部所述有机保护层或者所述有机保护层的一部分,使得在所述发射区域中的所述绝缘层或者所述绝缘层在所述发射区域中的所述部分通过所去除的有机保护层被暴露。

5.根据权利要求4所述的OLED显示器,其中,

所述OLED包括阴极、所述阳极和形成在该阴极与该阳极之间的有机发光层。

6.根据权利要求5所述的OLED显示器,其中,在所述发射区域中在所述阳极与所述绝缘层之间不存在堤层。

7.根据权利要求5所述的OLED显示器,其中,在所述发射区域的在所述薄膜晶体管附近的至少一部分中在所述阳极与所述绝缘层之间形成堤层。

8.根据权利要求5所述的OLED显示器,其中,

所述阳极和所述第一存储电极由包括铟锡氧化物ITO、铟锌氧化物IZO和铟锡锌氧化物ITZO中的至少一种的透明导电材料形成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410858153.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top