[发明专利]具有高孔径比的有机发光二极管显示器及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及有机发光二极管显示器及其制造方法，其能够通过利用透明导电材料形成存储电容来改进孔径比。

背景技术

近来，已开发了能够减小阴极射线管的不利的重量和体积的各种类型的平板显示器。平板显示器包括液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)、电致发光(EL)装置等。

EL装置根据发射层的材料被分类为无机EL装置和有机发光二极管显示器。EL装置是自发光装置并且具有响应速度快、发射效率高、亮度高和视角宽的优点。

图1例示了有机发光二极管的结构。如图1所示，有机发光二极管包括有机EL化合物层以及彼此相对的阴电极Cathode和阳电极Anode，阴电极Cathode和阳电极Anode之间插置了有机EL化合物层。有机EL化合物层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发射层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。

在该有机发光二极管中，在分别注入到阳电极Anode和阴电极Cathode中的空穴和电子在发射层EML中复合的激发过程中形成激子，并且通过来自激子的能量发射光。有机发光二极管显示器(OLEDD)通过以电的方式控制如图1所示的有机发光二极管的发射层EML中产生的光的量来显示图像。

利用作为电致发光元件的有机发光二极管的特性，OLEDD被分类为无源矩阵型有机发光二极管显示器(PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(AMOLED)。

AMOLED通过利用薄膜晶体管(在下文中，被称为“TFT”)控制在有机发光二极管中流动的电流来显示图像。

图2是示出了OLEDD中的一个像素的结构的等效电路图的示例。图3是示出了OLEDD中的一个像素的结构的平面图。图4是示出了沿着图3中的线I-I’截取的OLEDD的结构的截面图。

参照图2和图3，AMOLED包括开关TFT ST、连接至开关TFT ST的驱动TFT DT以及与驱动TFT DT接触的有机发光二极管OLED。

开关TFT ST形成在扫描线SL和数据线DL彼此交叉的一部分处。开关TFT ST具有选择像素的功能。开关TFT ST包括从扫描线SL分支的栅电极SG、半导体层SA、源电极SS和漏电极SD。驱动TFT DT具有驱动由开关TFT ST选择的像素的有机发光二极管OLED的功能。驱动TFT DT包括连接至开关TFT ST的漏电极SD的栅电极DG、半导体层DA、连接至驱动电流线VDD的源电极SD、以及漏电极DD。驱动TFTDT的漏电极DD连接至有机发光二极管OLED的阳电极ANO。

更具体地，参照图4，开关TFT ST的栅电极SG和驱动TFT DT的栅电极DG形成在AMOLED的基板SUB上。栅绝缘层GI覆盖栅电极SG和DG。半导体层SA和DA分别形成在栅绝缘层GI的各部分上，与栅电极SG和DG交叠。源电极SS和DS以及漏电极SD和DD分别以预定距离彼此相对地形成在半导体层SA和DA上。开关TFT ST的漏电极SD通过形成在栅绝缘层GI中的接触孔与驱动TFT DT的栅电极DG接触。覆盖如以上所述构造的开关TFT ST和驱动TFT DT的保护层PAS被涂布在基板SUB的整个表面上。

具体地，当半导体层SA和DA由氧化物半导体材料形成时，半导体层SA和DA在具有大充电电容的大面积TFT基板中因为它们的高电荷迁移率而有利于高分辨率和高速驱动。然而，为了确保元件的稳定性，氧化物半导体层SA和DA分别优选地还包括用于保护不受其上表面上的蚀刻剂影响的蚀刻阻挡层SE和DE。

滤色器CF形成在与要稍后形成的阳电极ANO的区域对应的一部分处。滤色器CF被优选地形成为占据尽可能宽的区域。例如，滤色器CF被优选地形成为与数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL的许多区域交叠。因为多个组件形成在上面形成有滤色器CF的基板上，所以基板的表面是不平坦的，并且许多阶梯覆盖形成在基板上。因此，覆盖层OC被涂布在基板的整个表面上，以便使基板的表面平整。

有机发光二极管OLED的阳电极ANO形成在覆盖层OC上。这里，阳电极ANO通过形成在覆盖层OC和保护层PAS中的接触孔连接至驱动TFT DT的漏电极DD。

堤BN形成在形成有阳电极ANO的基板上的形成有开关TFT ST、驱动TFT DT以及各种线DL、SL和VDD的区域上，以限定像素。