[发明专利]涉及陶瓷基板上射频装置封装的装置和方法

权利要求书

1.一种封装电子装置，包括：

陶瓷基板，配置成可接收一个或多个元件，所述陶瓷基板包括上表面、边缘和与接地平面电接触的导电层；

倒装芯片裸芯，具有集成电路，并且安装在所述陶瓷基板的上表面上；

保形导电涂层，直接实施于安装的倒装芯片裸芯上，并且实施在所述陶瓷基板的所述上表面的暴露部分上，延伸到所述陶瓷基板的边缘附近以提供屏蔽功能；

所述保形导电涂层和所述导电层之间的电连接，所述电连接包括从所述陶瓷基板的上表面的暴露部分延伸并延伸穿过所述陶瓷基板的导电通孔，所述导电层包括沿着所述陶瓷基板的周界的多个导电带，所述电连接至少部分地与所述多个导电带中的导电带重叠；以及

在所述倒装芯片裸芯和所述陶瓷基板之间实施的底层填充部，所述底层填充部包括边缘轮廓，所述边缘轮廓配置成提供所述倒装芯片裸芯的侧壁和所述陶瓷基板的上表面之间的倾斜过渡。

2.如权利要求1所述的封装电子装置，其特征在于所述底层填充部的倾斜过渡轮廓配置成利于提高所述倒装芯片裸芯和所述陶瓷基板的上表面之间的所述保形导电涂层的覆盖率。

3.如权利要求1所述的封装电子装置，其特征在于所述集成电路包括射频开关电路。

4.如权利要求3所述的封装电子装置，其特征在于所述倒装芯片裸芯是绝缘衬底上外延硅(SOI)裸芯。

5.如权利要求1所述的封装电子装置，其特征在于所述保形导电涂层包括金属涂料层或通过沉积形成的导电层。

6.如权利要求1所述的封装电子装置，其特征在于所述陶瓷基板包括低温共烧陶瓷(LTCC)基板。

7.如权利要求1所述的封装电子装置，其特征在于还包括在所述陶瓷基板的底面上实施的多个接触焊盘，所述接触焊盘配置成使所述封装电子装置安装在电路板上。

8.如权利要求1所述的封装电子装置，其特征在于所述保形导电涂层直接在所述倒装芯片裸芯上导致所述封装电子装置为低轮廓屏蔽装置。

9.一种射频模块，配置成处理射频信号，所述射频模块包括：

配置成接收一个或多个元件的陶瓷基板，所述陶瓷基板包括上表面、边缘和与接地平面电接触的导电层；

裸芯，具有集成电路，并且安装在所述陶瓷基板的上表面上；

保形导电涂层，直接实施于安装的裸芯上，并且实施在所述陶瓷基板的所述上表面的暴露部分上，延伸到所述陶瓷基板的边缘附近以提供屏蔽功能；

所述保形导电涂层和所述导电层之间的电连接，所述电连接包括从所述陶瓷基板的上表面的暴露部分延伸并延伸穿过所述陶瓷基板的导电通孔，所述导电层包括沿着所述陶瓷基板的周界的多个导电带，所述电连接至少部分地与所述多个导电带中的导电带重叠；以及

在所述裸芯和所述陶瓷基板之间实施的底层填充部，所述底层填充部包括边缘轮廓，所述边缘轮廓配置成提供所述裸芯的侧壁和所述陶瓷基板的上表面之间的倾斜过渡。