[发明专利]涉及陶瓷基板上射频装置封装的装置和方法

说明书

本发明公开了涉及陶瓷基板上射频装置封装的装置和方法。在一些实旋例中，封装电子装置可以包括配置成接收一个或多个元件的陶瓷基板。该陶瓷基板可包括与接地平面电接触的导电层。该封装电子装置还可进一步包括具有集成电路的裸芯，该裸芯安装在陶瓷基板的表面上。该封装电子装置还可包括在裸芯上实施从而提供屏蔽功能的保形导电涂层。该封装电子装置还可包括保形导电涂层和导电层之间的电连接。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年11月5日提交的、申请号为61/900394、名称为“涉及陶瓷基板上射频装置封装的装置和方法”的美国临时申请的优先权，其公开内容以引用方式明确并入于此。

技术领域

本发明公开大体涉及封装射频(RF)模块的屏蔽。

背景技术

射频(RF)装置中例如RF模块的区域会产生电磁(EM)场或者电磁场会对射频装置的该区域产生不期望的影响。这种EM干扰(EMI)会降低采用这类RF模块的无线装置的性能。一些RF模块可设有EM屏蔽以解决这类与EMI相关的性能问题。

发明内容

根据一些应用，本发明公开涉及包括配置成接收一个或多个元件的陶瓷基板的封装电子装置。该陶瓷基板包括与接地平面电接触的导电层。该封装电子装置还包括具有集成电路的裸芯。该裸芯安装在陶瓷基板的表面上。该封装电子装置还包括在裸芯上实施从而提供屏蔽功能的保形导电涂层。该封装电子装置还包括保形导电涂层和导电层之间的电连接。

在一些实施例中，保形导电涂层可大致直接在裸芯上实施。直接位于裸芯上的该保形导电涂层会使封装电子装置成为小口面(low profile)的屏蔽装置。

在一些实施例中，该裸芯可以配置成倒装芯片装置。该封装电子装置可进一步包括在倒装芯片装置和陶瓷基板之间实施的底层填充部(underfill)。该底层填充部可包括配置成在倒装芯片装置的侧壁和陶瓷基板的表面之间提供倾斜过渡(angled transition)的边缘轮廓。该底层填充部的倾斜过渡轮廓配置成利于提高倒装芯片装置和陶瓷基板之间的保形导电涂层的覆盖率。

在一些实施例中，该集成电路可包括射频(RF)开关电路。在一些实施例中，该裸芯可为绝缘衬底上外延硅(SOI)裸芯。

在一些实施例中，该电连接可包括陶瓷基板表面上的部分保形导电涂层以及配置成在陶瓷基板表面上的保形导电涂层和导电层之间提供电连接的多个导电通孔。该导电层可包括在陶瓷基板内实施的一个或多个导电带。该导电层可包括多个导电带，这些导电带被设置为大体形成陶瓷基板边缘处或陶瓷基板边缘附近的周界(perimeter)。该一个或多个导电带中的每个导电带可至少部分地横向(laterally)覆盖相应的导电通孔。

在一些实施例中，该电连接可包括陶瓷基板表面上的部分保形导电涂层，该部分保形导电涂层延伸至陶瓷基板的侧边缘。该导电层可包括沿着相应的陶瓷基板侧边缘的边缘，以使得导电层的该边缘与该保形导电涂层电接触。该导电层可包括沿着相应的陶瓷基板侧边缘的导电带。该导电带可包括在相应的陶瓷基板侧边缘上充分暴露的边缘，以利于导电带和保形导电涂层之间的电接触。该导电层可包括多个导电带，这些导电带被设置为使得陶瓷基板的每个边缘包括与保形导电涂层电接触的、相应的导电带暴露边缘。

在一些实施例中，该保形导电涂层可包括金属涂料层或通过沉积形成的导电层。在一些实施例中，该陶瓷基板可包括低温共烧陶瓷(LTCC)基板。在一些实施例中，该封装电子装置还可包括在陶瓷基板的底面上实施的多个接触焊盘(contact pad)。该接触焊盘可配置成允许将封装电子装置安装在电路板上。在一些实施例中，该封装电子装置还可包括在裸芯上实施的包覆(overmold)，以使得可在该包覆的表面上实施保形涂层。该包覆的尺寸可按需设计以使得其侧壁大致和相应的陶瓷基板侧壁对齐(align with)。