[发明专利]顶部发光型有机发光显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201410858244.3 | 申请日: | 2014-12-24 |
公开(公告)号: | CN104752483A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 金彬;朴宰希 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 顶部 发光 有机 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种顶部发光型有机发光显示装置,该顶部发光型有机发光显示装置包括:
基板,其具有显示区和非显示区;
薄膜晶体管,其在所述显示区上,所述薄膜晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极;
有机发光元件,其在所述显示区上,所述有机发光元件包括阳极、有机发光层和阴极;
第一电压供给线,其在所述非显示区上;
第二电压供给线,其在所述非显示区上并且被布置在所述非显示区的所述第一电压供给线上方,所述第二电压供给线和所述第一电压供给线具有至少一个交叠区域;以及
抗烧损层,其在所述至少一个交叠区域中,所述抗烧损层被布置在所述第一电压供给线和所述第二电压供给线之间,
其中,所述抗烧损层是具有与所述第一电压供给线和所述第二电压供给线之间的距离相同的厚度的绝缘层,以防止烧损所述至少一个交叠区域。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一电压供给线和所述第二电压供给线中的一个是Vss电压供给线,并且所述第一电压供给线和所述第二电压供给线中的另一个是Vdd电压供给线。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一电压供给线和第二电压供给线中的一个由与所述栅极的材料相同的材料制成,并且所述第一电压供给线和第二电压供给线中的另一个由与所述阳极的材料相同的材料制成。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一电压供给线和第二电压供给线之间的所述距离为4μm或更大。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述抗烧损层包括以下项中的一个或更多个:由与层间绝缘层的材料相同的材料制成的第一绝缘层;由与钝化层的材料相同的材料制成的第二绝缘层;以及用于为所述第一电压供给线提供平坦封盖的第一涂敷层。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述第一涂敷层由以下项中的一个或更多个制成:聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯硫醚、聚亚苯基醚树脂和苯并环丁烯。
7.根据权利要求5所述的装置,其中,所述抗烧损层还包括布置在所述第一涂敷层和所述第二电压供给线之间的第二涂敷层,所述第二涂敷层由与所述第一涂敷层的材料相同的材料制成。
8.一种顶部发光型有机发光显示装置,该顶部发光型有机发光显示装置包括:
基板,其具有显示区和非显示区;
薄膜晶体管,其在所述显示区上,所述薄膜晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极;
有机发光元件,其在所述显示区上,所述有机发光元件包括阳极、有机发光层和阴极;
第一电压供给线,其在所述显示区和所述非显示区二者上;以及
第二电压供给线,所述第一电压供给线和所述第二电压供给线布置在不同的层上,
其中,所述第一电压供给线和所述第二电压供给线垂直地交叉,并且在所述第一电压供给线和所述第二电压供给线之间设置有垂直间隙,所述第一电压供给线和第二电压供给线在所述非显示区的一部分中交叉。
9.根据权利要求8所述的装置,其中,所述第一电压供给线和所述第二电压供给线中的一个是Vss电压供给线,并且所述第一电压供给线和所述第二电压供给线中的另一个是Vdd电压供给线。
10.根据权利要求9所述的装置,其中,所述Vss电压供给线由与所述栅极和所述阳极中的一个的材料相同的材料制成。
11.根据权利要求9所述的装置,其中,所述Vdd电压供给线具有与所述栅极和所述阳极中的一个的材料相同的材料制成的第一部分以及由与所述源极和所述漏极的材料相同的材料制成的第二部分。
12.根据权利要求11所述的装置,其中,所述Vdd电压供给线在所述非显示区的一部分中具有分别由不同材料制成的两个层,其中,所述两个层经由接触孔彼此电连接。
13.根据权利要求8所述的装置,所述装置还包括:
扫描线,其在所述显示区上,所述扫描线与所述栅极电连接;以及
数据线,其与所述源极和所述漏极中的一个电连接,
其中,所述扫描线由与所述数据线的材料不同的材料制成,以及
所述数据线由与所述源极和所述漏极的材料相同的材料制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的