[实用新型]金属穿孔卷绕太阳能电池和太阳能电池组件有效
申请号: | 201420009199.X | 申请日: | 2014-01-07 |
公开(公告)号: | CN203746866U | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 黄思浙;潘锐;沈路;阴晓临 | 申请(专利权)人: | 明尼苏达矿业制造特殊材料(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/042 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王铁军 |
地址: | 201507 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 穿孔 卷绕 太阳能电池 组件 | ||
1.一种金属穿孔卷绕太阳能电池,包括:
电池片,所述电池片包括作为第一电极的第一电极表面和作为第二电极的第二电极表面,所述第二电极与所述第一电极电性相反,且所述第二电极表面与所述第一电极表面相对;
金属穿孔,所述金属穿孔贯穿所述第一电极表面和第二电极表面,将所述第一电极引到所述第二电极表面,从而在所述第二电极表面上形成第一电极孔;
绝缘结构,所述绝缘结构附着在所述第二电极表面上的由至少一组所述第一电极孔限定的区域上,且所述绝缘结构未覆盖所述至少一组第一电极孔。
2.根据权利要求1所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述第一电极为负极,第二电极为正极。
3.根据权利要求1所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述绝缘结构包括绝缘涂层。
4.根据权利要求3所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述绝缘涂层为硅树脂层。
5.根据权利要求3或4所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述绝缘涂层的厚度为1微米至50微米。
6.根据权利要求3或4所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述绝缘涂层的厚度为5微米至20微米。
7.根据权利要求3或4所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述绝缘涂层的厚度为15微米。
8.根据权利要求1所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述绝缘结构包括绝缘胶带。
9.根据权利要求8所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述绝缘胶带由上而下依次包括绝缘层、压敏胶层。
10.根据权利要求8所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述绝缘胶带由上而下依次包括绝缘层、热熔胶层。
11.根据权利要求8所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述绝缘胶带由上而下依次包括压敏胶层、绝缘层、压敏胶层。
12.根据权利要求8所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述绝缘胶带由上而下依次包括热熔胶层、绝缘层、热熔胶层。
13.根据权利要求8所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述绝缘胶带由上而下依次包括压敏胶层、绝缘层、热熔胶层。
14.根据权利要求8所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述绝缘胶带由上而下依次包括热熔胶层、绝缘层、压敏胶层。
15.根据权利要求8至14中任一权利要求所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述绝缘胶带的厚度为5微米至300微米。
16.根据权利要求8至14中任一权利要求所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述绝缘胶带的厚度为25微米至150微米。
17.根据权利要求8至14中任一权利要求所述的金属穿孔卷绕太阳能电池,其特征在于:所述绝缘胶带的厚度为130微米。
18.一种太阳能电池组件,包括:
多个如权利要求1所述的金属穿孔卷绕太阳能电池;
多条第一焊带,每条第一焊带与所述多个金属穿孔卷绕太阳能电池中的一个电池的第二电极表面上的至少一组第一电极孔电连接,且在每个所述金属穿孔卷绕太阳能电池上,所述绝缘结构位于所述第一焊带与所述第二电极表面之间;
多条第二焊带,每条第二焊带与所述多个金属穿孔卷绕太阳能电池中的一个电池的第二电极表面上的、未被所述绝缘结构覆盖且不同于所述第一电极孔的一个或多个区域电连接;
其中,所述多个金属穿孔卷绕太阳能电池之间通过所述多条第一焊带和所述多条第二焊带形成电连接,使得所述多个太阳能电池中的每一个太阳能电池的第一焊带和/或第二焊带与其相邻的至少一个太阳能电池的第二焊带和/或第一焊带电连接。
19.根据权利要求18所述的太阳能电池组件,其特征在于:在第二电极表面包括第二电极点,第二焊带与第二电极点相连。
20.根据权利要求18或19所述的太阳能电池组件,其特征在于:所述第一电极为负极,第二电极为正极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的